晶界和晶界模型.pptxVIP

晶界和晶界模型;一、界面与晶粒间界; 多晶材料中晶粒间的交界过渡区称晶粒间界(Grain Boundary)，简称晶界（GB）。 晶界对材料的力学、光学、磁学和电学性质影响很大。 在薄膜型和陶瓷型的各种元器件中，晶界起着关键性的作用。 在最近二十多年中，世界上各工业先进国家都很重视晶界的研究和开发应用。从电子学的角度来看，随着对晶界特征的进一步认识和控制。除了可以明显地改进材料和元器件的性能，提高成品率和可靠性外，还可设计出新型的元器件。;一、晶界结构;3、晶界的成分：晶界结构比晶体内疏松，杂质原子容易在此发生聚集.晶粒内，杂质原子周围形成了一个很强的弹性应变场，化学势较高. 应变场弱，化学势低，所以体杂质会往晶界集中。当温度升高时，这种趋势更为明显。 一般来说杂质在外界会发生凝聚（偏析)。在一些材料中杂质含量可以低到10—1000ppm(10-5-10-4)。但在晶界中杂质的含量由于偏析可高达1—5at％。有时晶界杂质的偏析会对晶体的—些性质(如耐蚀性、蠕变、脆性和电学性能等)起关键性的作用。; 对于一些化合物或氧化物材料，由于晶界处有很多空位(如氧空位)。所以改住在晶界处会产生化学计量偏离。 4、晶界电荷： 对于许多离子晶体来说，它的结构单元是带电的，因此缺陷也带电，此样晶界处会带电。