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界面态电荷对！碳化硅#沟$%
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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界面态电荷对 碳化硅 沟 阈值
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电压和跨导的影响!
汤晓燕 张义门 张玉明
（西安电子科技大学微电子研究所，西安 !##!）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化，分析了界面态电荷对
沟 碳化硅 阈值电压和跨导的影响 结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大，而且还
( %) *+,-./ 0
会导致器件跨导变低，它是影响,12 *+,-./ 特性的一个重要因素0
关键词：碳化硅，界面态，阈值电压，跨导
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4 引 言 $ 4 界面态电荷对阈值电压的影响
碳化硅材料可以通过简单的热氧化工艺在表面 在 沟硅器件中阈值电压一般表示为
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获得二氧化硅层，从而制成金属 氧化物 半导体
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场效应器件0 和硅 *+,-./ 相比，碳化硅 *+, 器件 ，（）
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能在更高的温度和电压下工作，并且有优越的转移
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式中体费密势 ! B H@ ，认为杂质完全离化
特性 0 在高温、大功率、高频、抗辐射等方面，碳化 )
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硅器件都具有很好的应用前景，因此引起科学家们 ，体内的多数载流子浓度 等于衬底掺杂
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