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氢化非晶硅的红外光谱及氢释放
液晶与显示990307 页码，1/6
液晶液晶与与显显示示
液晶液晶与与显显示示
CHINESE JOURNAL OF LIQUID
CRYSTALS
AND DISPLAYS
1999年 第14卷 第3期 No.3 Vol.14 1999
**
氢化非晶硅的氢化非晶硅的红外光红外光谱及谱及氢释氢释放的放的研究研究**
氢氢化非晶硅的化非晶硅的红红外光外光谱谱及及氢释氢释放的放的研研究究
李牧菊 杨柏梁 朱永福 袁剑峰 刘传珍 廖燕平 吴渊
摘 摘 要要 用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜 (a-
摘摘 要要
Si∶H)并进行了退火实验，利用红外吸收光谱(IR)和金 显微镜研究薄膜
中的氢含量及退火前后的脱氢现象，得出材料组成及热稳定性对衬底温度
T 和射频功率P 的依赖关系。
s rf
关键词关键词 非晶硅； 化学气相淀积； 红外光谱； 金 显微
关键词关键词
中图中图分分类类号号 TN304.8；TN304.8；O657.33O657.33 文文献献标识码标识码 AA
中中图图分分类类号号 TN304.8TN304.8；；O657.33O657.33 文文献献标识码标识码 AA
Infrared Spectrum and Hydrogen Release
of Hydrogenated Amorphous Silicon
LI Mu-ju ，YANG Bai-liang ，ZHU Yong-fu ，YUAN Jian-feng ，
LIU Chuan-zhen ，LIAO Yan-ping ，WU Yuan
(Changchun Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences,Changchun,
130021,China)
(North Liquid Crystal Display Research Development Center, Changchun
130021,China)
Abstract
Hydrogenated amorphous silicon was deposited by PECVD, followed by
annealing in vacuum. The IR transmittance spectra were discussed regarding of
SiH configuration and hydrogen content in the material. Considering hydrogen
release, metaloscope was used to observe the morphology of samples, which
were deposited at different experimental condition and followed by annealing. It
showed that such parameters as the substrate temperature(Ts) and
rad
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