场效应管基础解析.pptVIP

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  • 2017-05-16 发布于湖北
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华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 场效应管基础 场效应管 一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的分类 一、结型场效应管(以N沟道为例) 场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 1. 结构 2. 工作原理 (1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压? UGS(off) (2)漏-源电压对漏极电流的影响 uGS>UGS(off)且不变,VDD增大,iD增大。 预夹断 uGD=UGS(off) VDD的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么? uGDUGS(off) uGDUGS(off) 夹断电压 漏极饱和电流 3. 特性 场效应管工作在恒流区,因而uGS>UGS(off)且uGD<UGS(off)。 uDG>-UGS(off) (1)转移特性 g-s电压 控制d-s的 等效电阻 (2)输出特性 预夹断轨迹,uGD=UGS(off) 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区(截止区) 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。 低频跨导: 二、绝缘栅型场效应管 uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 1. 增强型管 大到一定值才开启 增强型MOS管uDS对iD的影响 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么? iD随uDS的增大而增大,可变电阻区 uGD=UGS(th),预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS,恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 2. 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS>0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在uGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 3. MOS管的特性 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 问题:uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种? 只有uGS>0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 只有uGS<0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? * 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 * * 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn * 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 * *

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