氮化合成氮化硅工艺中碳化硅生成的分析.pdfVIP

2015年6月 云南冶金 Jun．2015 第 44卷第 3期 (总第252期) YUNNANMETALIJURGY Vo1．44．No．3 (Sum252) 碳热还原／氮化合成氮化硅工艺中碳化硅生成的分析 万小涵 ，张广清 ，OlegOstrovski (1．澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院，澳大利亚 悉尼 2052； 2．澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机 电一体化学院，澳大利亚 卧龙岗 2522) 摘 要：碳热还原／氮化合成氮化硅在SiO ：C=1：4．5 (摩尔比)、1425～1475％、氮气 中添加 10vo1％氢 气气氛、气体流量 1L／min条件下进行。生成物各相通过XRD定性分析。实验结果及热力学分析表明二氧化硅一 碳一氮气反应体系中，氮化硅和碳化硅在常用温度区间内的生成趋势差StJd,；碳化硅成核在较高温度趋势较强， 但在整个温度区间与氮化硅成核趋势均较强且差别细微；氮化硅晶体生长反应为控制步骤。在碳热还fg．／氮化工 艺中控制 SiN 和SiC生成的边界温度并不明显，碳化硅的生成不可避免。 关键词：边界温度 ；生成趋势 ；控制步骤 中图分类号：TG148 文献标识码：A 文章编号：1006--0308 (2015)03_oo47_03 AnalysisonSiliconCarbideFormationintheProcessof Carbothermal Reduction／NitrationSynthesisofSiliconNitride WAN Xiao—han ，ZHANG Guang—qing ，OlegOstrovski (1．SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofNewSouthWales， Sydney2052，Australia；2．SchoolofMechanical，Materials MechatronicEngineering， UniversityofWollongong，Wollongong2522，Australia) AllSTRACT：Theproce8sofearbothermalreduc：tion／nitrationsynthesisofsiliconnitridewasconductedwiththemolarratioof SiO2：C = 1：4．5．Thetemperaturerangewas1425—1475~(：，10vo1％ ofH2wasaddedtoN2，andthegasflowratewas1L／min．The phasesofthesnythesizedproductswereidentifiedbyXRDqualitativeanalysis．Accordingtotheexperimentalresultsnadhtermodnyamica- nalysis，thereWaSverysmallpotential differencebetweentheformationofSi3N4na dSiCintheSiO2-C-N2reactionsystem．Nucleationof SiChadstrongpotential athighertemperature，however，thedifferenceofnucleationtendencyofSi3N4nadSiCWas minor．Moreover，the growthofSi3N4crystalcouldbethecontrollingstep．TheboundarytemperaturebetweenSi3N4nadSiCfomr ationintheprocessofcarbohter- mal reductionandnitridationwasnotobvious，nadhteformationof