直拉硅单晶制备中来自于石英坩埚的受主杂质污染定量分析.pdfVIP

2016年 4月 云南冶金 Apr．2016 第 45卷第2期 (总第 257期) YUNNAN MEIlALIJURGY Vo1．45．No．2 (Sum257) 直拉硅单晶制备中来 自于石英坩埚的 受主杂质污染定量分析 李 昆 ，史冰川 ，，v，董 俊 ，黄 磊 ，亢若谷 ，邱建备 ， (1．昆明冶研新材料股份有限公司，云南 曲靖 655011； 2．昆明理工大学材料科学与工程学院，云南 昆明 650093； 3．云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室，云南 曲靖 655011) 摘 要：半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率。但是，由于坩埚受熔体侵蚀引入 杂质污染，影响硅棒的实际电阻率，降低产品合格率。特别对于连续拉晶过程中，长时间的熔体侵蚀造成硅棒尾 部杂质含