集成电路工艺总复习解说.ppt

LOCOS隔离原理： 通过场区注入（仅NMOS场区）及场区选择氧化，增加场区的表面掺杂浓度及场区氧化层厚度，提高场区寄生MOS管的阈值电压至大于电源电压，使其不开启，从而消除寄生MOS管效应，实现了NMOS管之间和PMOS管之间的电气隔离。 LOCOS隔离原理： 场区寄生NMOS剖面图 回流/增密 工艺目的：①源漏注入杂质的电激活 ②减小注入损伤 ③BPSG致密化 ④BPSG回流，芯片平坦化 。 工艺方法：950 ℃ 30分氮气 CMOS器件结构剖面图及电路图 CMOS反相器电路图 CMOS器件结构剖面图 §10.3 现代先进的0.18μm CMOS集成电路工艺技术 14大工艺步骤： 1. 双阱工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏（LDD）工艺 5. 侧墙形成工艺 7. 接触形成工艺 8. 局部互连工艺 倒掺杂阱技术： 连续三次离子注入 ①第一次高能量（＞200KEV）、深结（~1.0μm）倒掺杂注入，以减小CMOS器件的闭锁效应 ②第二次中能量注入，以保证源漏穿通电压 ③第三次小剂量注入，以调整阈值电压 浅槽隔离STI（Shallow Trench Iso