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第3章 p-n结 半导体器件物理 半导体器件物理 第3章 p-n结 半导体器件物理 第3章 p-n结 半导体器件物理 第3章 p-n结 半导体器件物理 第3章 p-n结 第3章 p-n结 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices * p-n结一侧的掺杂浓度远比另一侧高的突变结称为单边突变结。 图(a)和(b)分别显示单边突变p+-n结及其空间电荷分布，其中NAND，因此，xpxn。 单边突变结 W的表达式可以简化为 ＋ p n 0 V = （a） ＋ p n 0 V = ＋ p n 0 V = A D N N - 0 D N D N NA W x n = x （b） A D N N - 0 D N D N NA W x n = 0 D N D N NA W x n = A N - W m e - E 0 x （ A N - W m e - E 0 x （c） A N - W m e - E 0 bi V bi V 0 W x （d） ψ bi V 0 x （a）热平衡时的单边突变结（NAND）；（b）空间电荷分布； （c）电场分布；（d）随距离改变的电势分布，其中Vbi为内建电势 最大电场为： 第3章 p-n结 电场分布的表示式仍为： 其中NB是轻掺杂的衬底浓度（即p+-n结的ND）。 电场在x=W处降为零，因此 且 如图(c)