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第3章 p-n结 半导体器件物理 半导体器件物理 半导体器件物理 半导体器件物理 第3章 p-n结 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第3章 p-n结 * 本章内容 热平衡状态 耗尽区 耗尽电容 电流-电压特性 电荷存储 结击穿 异质结 * 整流特性：只容许电流单向导通。右图显示一典型硅p-n结的电流-电压特性。 正偏（p端为正），随电压的增加电流会快速增加； 反偏，随反向偏压增加，电流很小； 结击穿：直到一临界电压后，电流突然增加。 外加正向电压通常小于1V；反向临界电压（击穿电压）可是几伏到几千伏，取决于掺杂浓度和其他器件参数。 3.1 热平衡状态 第3章 p-n结 * p-n结形成之前 均匀掺杂且彼此分离的p型和n型半导体材料。 费米能级在p型材料中接近价带边缘，在n型材料中接近导带边缘。 p型，空穴为多子，电子为少子；n型则刚好相反。 3.1.1 能带图 第3章 p-n结 * p型和n型半导体结合 在结上存在大的载流子浓度梯度，载流子扩散。p侧的空穴扩散进入n侧，而n侧的电子则扩散进入p侧。 空穴离开p侧，结附近部分受主离子NA-未能补偿，因受主固定于半导体晶格。 结附近部分施主离子ND+当电子离开n侧后也未能补偿。 负空间电荷在结p侧形成，正空间电荷在结n侧形成。 空间电荷区域产生了一电场（内建电场），其方向由正空间电荷