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MOS结构高频C-V特性测试 MOS结构的电容是外加压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C－V特性）。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度QI和固定电荷面密度Qfc等参数。 本实验目的是通过测量MOS结构高频C-V特性及偏压温度处理（简称BT处理），确定dox、N、 QI和Qfc等参数。 引言 * 实验原理 半导体表面空间电荷区的厚度随偏压而改变,所以MOS电容是微分电容 实验原理 * 时，半导体表面能带平直，称为平带。 平带时所对应的偏压称为平带电压，记作 显然，对于理想MOS结构: 金属与半导体间功函数差为零 在绝缘层（SiO2）内没有电荷 SiO2与半导体界面处不存在界面态 实验原理 * 实际的MOS结构，由于SiO2 中总是存在电荷（通常是正电荷），且金属的功函数 Wm和半导体的功函数Ws 通常并不相等，所以 Vs一般不为零。若不考虑界面态的影响，有 Qox是 SiO2中电荷的等效面密度，Qox它包括可动电荷QI 和固定电荷Qfc 两部分。 对于铝栅p型硅MOS结构，Vms大于零， Qox通常也大于零（正电荷），所以 ，VFB＜0如图3中的