薄膜CVD技术.pptVIP

第十章 薄膜化学汽相淀积（CVD）技术 10.1. 化学汽相淀积（CVD）原理 10.1.1. 薄膜生长的基本过程(与外延相似) 外延是一特殊的薄膜生长 1)参加反应的气体混合物被输运到沉积区 2)反应物分子由主气流扩散到衬底表面 3)反应物分子吸附在衬底表面 4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间 发生化学反应，生成化学反应产物和副产物，并沉积在衬底表面（或原子迁移到晶格位置） 5）反应副产物分子从衬底表面解吸 6）副产物分子由衬底表面外扩散到主气流 中，然后排出沉积区 10.1.2. Grove模型 和质量附面层模型 Grove模型 : F1=hG(CG-CS) F2=kSCS G=F/?m =[kShG/(kS+hG)](CT/ ?m)Y G=hG（CG/ ?m）为高温下的质量输运控制 G=kS（CG/ ?m）为较低温下的表面反应控制 质量附面层（速度界面层）模型: 可得： 所以： CVD原理的特点？ 10.2. CVD反应室 气相沉积的反应控制模式主要为质量输运控制和表面反应控制。 质量输运控制：工艺容易控制；反应温度较高，生成膜的质量较好，但容易引入污染和外延时的自掺杂，可能存在工艺上的不兼容；设备简单；生长与气流有关，厚度