晏和玉晶体的电光效应探究性实验.docVIP

北航物理实验探究性报告 晶体的电光效应 姓名：晏和玉 引言： 电光效 科技名词定义 与此同时，从晶体电光调制角度出发，通过观察电光效应所引起的晶体性能的变化和会聚偏振光的干涉现象，以及对铌酸锂晶体电光特性曲线的测量研究，学习和掌握晶体电光调制的原理和实验方法，学会用简单的实验装置测量晶体半波电压、电光常数和消光比的实验方法。 实验目的 掌握晶体电光调制的原理和实验方法 观察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象 学会利用实验装置测量晶体的半波电压 二、 实验仪器 铌酸锂晶体，电光调制电源，半导体激光器，偏振器，四分之一波片，接收放大器，双踪示波器（后来添上）。 注：激光光源：半导体激光器， 激光波长：650～680nm， 激光功率：0～2.5mW连续可调， 偏置电压：±0～400V连续可调， 调制方式: 横向调制； 调制晶体：铌酸锂晶体 50mm×6mm×1.7mm； 调制波形：1KHz正弦波或其他波形 实验原理 1.电光效应 晶体（固体或液体）在外加电场中，随着电场强度的改变晶体的折射率发生改变的现象。 当光线穿过某些晶体（如方解石、铌酸锂、钽酸锂等）时，会折射成两束光。其中一束符合一般折射定律称之为寻常光（简称ｏ光），折射率以ｎｏ表示；而另一束的折射率随入射角不同而改变，称为非常光（简称ｅ光），折射率以ｎｅ表示。 相位差：（其中 一般晶体中总有一个或二个方向，当光在晶体中沿此方向传播时，不发生双折射现象，把这个方向叫做晶体的光轴方向。只有一个光轴的称为单轴晶体，有两个光轴方向的称为双轴晶体。由晶体光轴和光线所决定的平面称为晶体的主截面。实验发现，ｏ光和ｅ光都是线偏振光，但它们的光矢量（一般指电场矢量Ｅ）的振动方向不同，ｏ光的光矢量振动方向垂直于晶体的主截面，ｅ光的光矢量振动方向平行于晶体的主截面。晶体的光轴在入射面内时，ｏ光和ｅ光的主截面重合，电光矢量的振动方向互相垂直。 　　光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或矢量的振动方向不同，光的折射率就不同，通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。若把坐标轴ｘ，ｙ，ｚ取在晶体的３个主轴方向上，分别用ｎｘ，ｎｙ，ｎｚ表示晶体３个主轴上的折射率，并以ｎｘ，ｎｙ，ｎｚ成比例的长度分别为３个半轴长做一椭球，这个椭球可表示光在晶体内的传播情况，称这个椭球为折射率椭球，如图1-1所示。 图1-1　折射率椭球 上图的折射率椭球可由如下的数学计算得来 电场引起的折射率的变化： （其中a和b为常数， 为=0时的折射率）。 光在各向异性晶体中传播时，由于光传播方向不同或者电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系，即方程为 （其中、、为椭球三个主轴方向上的折射率，即主折射率）。 当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球的方程变为 2.电光调制原理 (一)横向电光调制 铌酸锂晶体横向电光调制器的结构如图2所示。 图2-1横向电光调制器原理图 当光经过起偏器P后变成振动方向为OP的线偏振光，进入晶体 (z = 0) 后被分解为沿x′和y′轴的两个分量，因为OP与x’轴、y’轴的夹角都是45o，所以位相和振幅都相等。即，于是入射光的强度为： 当光经过长为的LN晶体后，x′和y′分量之间就产生位相差，即： （13） 从检偏器A（它只允许OA方向上振动的光通过）出射的光为和在OA轴上的投影之和 （14） 于是对应的输出光强为： （15） 将输出光强与输入光强比较，再考虑（11）式和（12）式，最后得到： （16） 为透射率，它与外加电压V之间的关系曲线就是光强调制特性曲线，见图3。本实验就是通过测量透过光强随加在晶体上电压的变化得到半波电压Vπ。 （二）改变直流偏压选择工作点对输出特性的影响 由图3可知，透过率与V的关系是非线性的，若不选择合适的工作点会使调制光强发生畸变，但在V = Vπ/2附近有一直线部分（即光强与电压成线性关系），这就是线性调制部分。为此，我们在调制光路中插入一个λ/4波片，其光轴