可再生能源概论-3.ppt

太阳能光伏发电技术及其应用 姚建曦 Tel:mail: jianxiyao@ncepu.edu.cn 教3楼C427室 聚光太阳电池的优越性 抗辐照能力强 转换效率高 重量比功率大 聚光太阳电池在深空探测中意义重大 探月飞行器 火星探测飞行器 化合物半导体薄膜太阳能电池： 近年来，一系列化合物半导体太阳电池迅速发展起来，如GaAs、CdTe、InP、CdS、CuInS和CuInSe2等。这是因为化合物半导体材料大多是直接带隙半导体材料，光吸收系数较高，因此，仅需要数微米厚的材料就可以制备成高效率的太阳电池。而且，化合物半导体材料的禁带宽度一般较大，其太阳电池的抗辐射性能明显高于硅太阳电池。 空间应用水平 第一代空间太阳电池： 单晶Si 转换效率：15-18% 第二代空间太阳电池： GaAs、GaAs/Ge 转换效率：18-21% 第三代空间太阳电池： GaInP/GaAs/Ge 转换效率：25-29% 第四代空间太阳电池： GaInP/GaAs/Ge聚光 转换效率：30-35% GaAs太阳电池 通常太阳电池的效率会随着温度的升高而下降，例如硅太阳电池，在200℃左右其太阳电池效率降低70％。用GaAs材料制备的太阳电池的温度系数相对较小。在较宽的范围内，电池效率随温度的变化近似于线性，约为-0.23%/℃，降低缓慢，说明GaAs太阳电池具有更高的工作温度范围。 GaAs太阳电池抗辐射能力强，经过1Χ1015cm-2的1MeV的高能电子辐射，高效空间硅太阳电池的效率降低为原来的66％，而GaAs太阳电池的效率仍能保持在75％以上。 GaAs薄膜太阳电池 GaAs电池的发展状况 GaAs太阳电池 进入20世纪80年代，美国的HRL(Hughes Research Lab)及其后的Spectrolab改进了LPE技术，实现了批量生产，电池的平均效率达到18％ 美国的ASEC(后来的TECSTAR)在1987年前后，又成功地用Ge单晶代替GaAs作为外延衬底，制备出GaAs/Ge太阳电池它所制备的GaAs/GaAs和GaAs/Ge太阳电池的效率有了很大提高，目前最高效率超过20％，生产水平已达到19％～20％，而且抗辐照性能明显好于LPE技术制备的GaAs/GaAs太阳电池。 1998年得出四结太阳电池理论光电转换效率为40％。 GaAs薄膜太阳电池 在 Ga0.5In0.5P/GaAs 双结太阳电池的基础上，1993年国外开始研制效率更高的三结Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge叠层太阳能电池。l996年，美国光谱实验室研制的该类电池的AM0最高效率达到25.7％，小批量生产平均效率达到23.8％；l997年大批量生产平均效率达到24.5%，2000年最高效率达到29％，2002年大批量生产平均效率达到26.5％。目前，国际上从事多结电池批产的最知名的两家公司是美国的光谱实验室和Emcore，其年批产能力分别为500kw和200kW。 GaAs太阳电池 三结GaAs太阳电池 GaAs薄膜太阳电池 GaAs太阳电池 GaAs叠层聚光太阳电池 GaAs薄膜太阳电池 * 太阳能电池的种类及其特点 太阳能电池的分类 按照材料分类 硅太阳能电池：以硅为基体材料（单晶硅、多晶硅、非晶硅） 化合物半导体太阳能电池：由两种或两种以上的元素组成具 半导体特性的化合物半导体材料制成的太阳能电池(硫化镉、 砷化稼、碲化镉、硒铟铜、磷化铟) 有机半导体太阳能电池：用含有一定数量的碳－碳键且导电 能力介于金属和绝缘体之间的半导体材料制成的电池(分子 晶体、电荷转移络合物、高聚物) 晶体硅太阳电池 晶体硅的基本性质 单晶硅 晶体硅的基本性质 多晶硅 晶体硅太阳电池 非晶硅 晶体硅的基本性质 晶体硅太阳电池 2. 单晶硅太阳电池 Sharp单晶硅组件 硅系列太阳能电池中，单晶硅的光电转换效率最高，技术也最成熟，高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关成熟的加工工艺基础上。提高转换效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。单晶硅太阳能电池的转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍旧占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本据高不下，严重影响了其广泛应用。 单晶硅太阳能电池： ◆新南威尔士大学的PERL电池 ? ＝24.7% 钝化发射区和背面局部扩散电池 PERL (Passivated emitter rear locally diffused) 该电池衬底材料选用低电阻率、p型、掺硼、(100)晶向、区熔法控制、直径5.08cm(2英寸)、厚度280μm，双面抛光的单晶硅片。 199