场效应晶体管全面解析.pptVIP

3.4.2 小信号电路模型 FET管高频小信号电路模型 当高频应用、需计及管子极间电容影响时，应采用如下高频等效电路模型。 gmvgs rds g d s id vgs - vds + + - Cds Cgd Cgs 栅源极间平板电容 漏源极间电容（漏衬与源衬之间的势垒电容） 栅漏极间平板电容 简化的小信号等效电路 gmvgs rds g d s ic vgs - vds + + - rds为场效应管输出电阻： 由于场效应管IG?0，所以输入电阻rgs ??。 而三极管发射结正偏，故输入电阻rbe较小。 与三极管输出电阻表达式 相似。 rbe rce b c e ib ic + - - + vbe vce βib MOS管简化小信号电路模型(与三极管对照) 返回 gm的含义 FET跨导 得 通常MOS管的跨导比三极管的跨导要小一个数量级以上，即MOS管放大能力比三极管弱。 (MOSFET管） (JFET） 返回 3.5 场效应管电路的分析方法 场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。 场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路