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V2O3系PTC陶瓷材料的研究进展 张兆刚1，2，陈敏1，李建军1，赵晨辰1，赵成明1，何向明1 1清华大学核能与新能源技术研究院，北京100084 2宜春学院 物理科学与工程技术学院， 江西宜春 336000 摘要：PTC陶瓷材料是一种应用极为广泛的电子材料，其电阻率具有随温度升高而增大的特性。本文简单介绍了PTC陶瓷材料研究背景及分类，总结了V2O3系PTC陶瓷材料的产生机理、主要特点、影响因素和制备方法，并展望了V2O3系PTC陶瓷材料的应用前景及发展趋势。 关键字：V2O3；PTC陶瓷材料；相变；掺杂 中图分类号：TQ17 文献标识码：A 引言 正温度系数 (positive temperature coefficient, PTC) 效应是指材料在低于某特定的温度时，其电阻值随温度变化不明显，当超过此特定温度后材料的电阻值急剧增大的现象。自Haayman 等人发现PTC效应以来，由于其特有的热敏、延时、过流保护等自动开关功能而备受关注[1-4]，并迅速成为材料科学领域中的研究热点，特别是上世纪60 年代，日本使用PTC陶瓷材料在电子产品用作温补元件后，其应用领域越来越广，现已广泛应用于电子通讯、航空航天、汽车工业、家用电器等各个领域。 目前常用的PTC材料主要有三类：BaTiO3系PTC陶瓷材料、聚合物高分子系PTC材料和V2O3系PTC陶瓷材料。 BaTiO3系PTC陶瓷材料是目前在电子设备、家用电器等方面应用极为广泛的一类PTC材料，其PTC特性主要来源于陶瓷晶界效应[5-6]，有关它的理论模型[7]也经历了一个由宏观到微观逐步完善的认识过程。但这种材料的PTC特性受电压和频率的影响，且常温电阻率大、通流能力差，因而在高电压和大电流条件下的应用受到限制。 聚合物高分子系PTC材料是将导电无机颗粒（炭黑、金属、金属氧化物等）分散在半结晶材料（聚乙烯）或者无定型高分子（环氧化合物）中形成的一种复合体系，材料在一定的温度下电阻率迅速增加而产生PTC效应，目前对于高分子系PTC材料产生PTC 现象的微观机制还不很明确[8-9]。聚合物高分子系PTC材料具有易于制备、加工及价格便宜等优点，成为PTC 材料领域的另一研究热点。但该材料也存在开关温度调整的范围窄、不耐高温、强度低、响应时间慢、有机材料老化等问题。 V2O3系陶瓷材料的PTC效应来源于温度诱发的体效应，其PTC特性不受电压和频率的影响，而且同BaTiO3系PTC陶瓷材料相比（如表1所示），该材料具有低的常温电阻率和大的通流能力[10]，这些特点使得V2O3系PTC陶瓷材料在大电流过流保护元件方面具有广阔的应用前景。 表1 V2O3系、BaTiO3系、聚合物高分子系PTC材料的主要特性比较[10] 特 性 V2O3系 BaTiO3系 聚合物高分子系 常温电阻率(Ω?m) 10-5 10-1 10-2 电阻的增加 5~ 400倍 103~ 107倍 104~ 108倍 高温特性 NTC NTC NTC 密度（g?cm-3) 4.8 5.6 1.5 转变温度（℃） -20~150 -30~240 — 熔点（℃） 2240 1618 135（高密度聚乙烯） 比热J/(g-1?℃) 0.73 0.65 1.57（高密度聚乙烯） 热导率mw/(cm-1?℃) 35 48 2 产生机理 固有相变 晶界势垒 熔点或玻璃态转变 热滞现象 有 无 有 电压频率相关性 无/无 有/有 有/有 1. V2O3系陶瓷材料PTC效应的产生机理 材料在相变过程中产生的成分和结构的变化常伴随着材料在电学、磁学和光学等性能上的突变，这样的特性往往可用来制作新型的电子元器件。V2O3系PTC陶瓷材料是一种由于体内温度诱发的金属-半导体(绝缘体) (Metal-Semiconductor/insulating) 相变材料，由于其在多种技术领域中具有广阔的应用前景，已成为国内外新颖功能材料研究的热点之一。 1946年，人们首次观察到V2O3晶体在160K左右呈现“金属-半导体(绝缘体)相变”的现象。这种低温相变引起了人们的极大兴趣，随后人们相继利用许多研究方法及理论模型[11-15]来深入研究和解释这一现象。V2O3有两个与温度相关的相变点[16]，在约160K发生低温反铁磁绝缘相到高温顺磁金属相的一级相变，相变中体积变化约1.5%，电阻率变化7-8个数量级，电阻率变化呈负温度系数电阻 (NTC) 特性。在约350K到540K的范围发生低温顺磁金属相P(M) 到高温顺磁绝缘相P(I)的二级相变，相变中体积变化约1.2%，在这个转变中电阻率变化呈正温度系数电阻 (PTC) 特性[17-19]，改变幅度达102-103倍。目前V2O3系PTC陶瓷材料多采是