第十章 褂脞电传感器(河南理工大学).pptVIP

第十章 光电传感器; 1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。 ;一、光的分类 （根据波长分类） ;光具有反射、折射、散射、衍射、干涉和吸收等性质。; 光是以光速运动着的粒子（光子）流，一束频率为γ的光由能量相同的光子所组成，每个光子的能量为 h--普朗克常数，6.626×10-34J·s； γ--光的频率（单位s-1）。 可见，光的频率愈高（即波长愈短），光子的能量愈大;二、光源（发光器件）;2.荧光灯;3.发光二极管（LED—Light Emitting Diode） ;4、激光器 发光原理：在特制的谐振腔加上电压，光子在里面不断来回振动，光子振动时，产生碰撞激发出新的光子，数量不断翻倍，光子越来越多，最后从谐振腔的窗口出释放出来，再被经过的光子激发，放出光。 特点：高方向性、高单色性和高亮度。 波长范围：从0.24μm到远红外整个波段。; 光电传感器是将被测量的变化通过光信号变化转换成电信号，具有这种功能的材料称为光敏材料，做成的器件称光敏器件。;指纹锁;料位自动控制; 第一节 光电效应;(1)外光电效应;A — 电子的逸出功；; 紫外线管外形;(2)内光电效应;光生伏特效应： 物体表面受到光照射时，内部会激发出电子-空穴对，在内电场作用下电子、空穴分离，在物体内部产生电动势----光生伏特效应; 第二节 光电器件;结构示意图及测量电路;2 光电倍增管; 光电倍增管的光阴极和阳极之间被加了许多倍增极（10个左右），倍增极也涂有光敏材料。 在阳极和阴极之间加有几百～上千伏的高压，每个倍增极间有100～200V高压； 倍增极外加电压Ud与增益G的关系近似为： 式中： K —— 常数 N —— 倍增极数 ;入射光;3 光敏电阻;光敏电阻图片 ;光敏电阻光照特性 无光照时，内部电子被原子束缚，具有很高的电阻值； 有光照时，产生电子-空穴对，电阻值随光强增加而降低； 光照停止时，自由电子与空穴复合，电阻恢复原值。 ;光敏电阻演示 ; 伏安特性 给定偏压 光照越大光电流越大； 给定光照度 电压越大光电流越大； 光敏电阻的伏安特性 曲线不弯曲、无饱和， 但受最大功耗限制。 光照度 Lx（勒克斯 ） = lm （流明）/s 单位面积的光通量 ;4 光敏二极管和光敏三极管;① 光敏二极管;工作原理： 光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状态。 无光照时，PN结反向电阻很大， 反向电流很小； 有光照时，PN结处产生光生 电子-空穴对； 在电场作用下形成光电流， 光照越强光电流越大； 光电流方向与反向电流一致。 ;光敏二极管 ; 光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示 ; 基本特性： 光照特性 图是硅光敏二极管在小负载电阻下的光照特性。光电流与照度成线性关系。 ;② 光敏三极管;IC;硅（Si）光敏晶体极管一般都是NPN结构，光照射在集电结的基区，产生电子、空穴，光生电子被拉向集电极，形成三极管输出电流，使晶体管具有电流增益。 ; 光敏三极管有两个PN结。与普通三极管相似，有电流增益，灵敏度比光敏二极管高。 多数光敏三极管的基极没有引出线，只有正负（c、e）两个引脚，所以其外型与光敏二极管相似，从外观上很难区别。 ;5. 光电池（有源器件）;光电池外形; 结构：光电池实质是一个大面积PN结，上电极为栅状受光电极，下面有一抗反射膜，下电极是一层衬底铝。;光电池电路连接;光电池在动力方面的应用;光电池在动力方面的应用（续）;光电池在动力方面的应用（续）;6. 其他光电管;② 雪崩式光电二极管:具有高速响应和放大功能，高电流增益，可有效读取微弱光线，用于0.8μm范围的光纤通信、光盘受光元件装置。 ;③ 光电闸流晶体管（光激可控硅）:由入射光线触发导通的可控硅元件。;光敏晶闸管外形;④ 光电耦合器件 　又称光电隔离器（器件的光信号封闭）; “光耦”集成器件的特点： 输入输出完全隔离，有独立的输入输出抗，绝缘电阻在1万兆以上。 器件有很强的抗干扰能力和隔离性能，可避免振动、噪声干扰。 特别适宜工业现场做数字电路开关信号传输、逻辑电路隔离器、计算机测量、控制系统中做无触点开关等。;10.3 光纤传感器 ; 发光二极管产生多种颜色的光线，通过光导纤维传导到东方明珠球体的表面。在计算机控制下，可产生动态图案。;各种装饰性光导纤维 ;光缆的外形及光纤的拉制;一、光纤基本结构及导光原理