Cu(In,Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺.pdfVIP

维普资讯 第27卷 第9期 太 阳 台邑 学 报 Vo1．27．No．9 2006年 9 1 ACrAENERGIAESOLARISSINICA Sep．，2006 文章编号：0254-0096(2OO6)．09-O895-05 Cu(In，Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 张 力，孙 云，何 青，徐传明，肖建平，薛玉明，李长健 (南开大学光电子研究所，天津 姗 1) 摘 要：利用三步共蒸法工艺在 10cmX10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层 CuInoGao，Se2薄膜。通过 XRF和 XRD谱 ，分析了不同预置层(Precursor)(InoGao，)Se生长温度下CulnoGao，se2薄膜的结构特性。预置层生长温 度分别为300、340和400~：时，所制备的集成组件的转换效率对应为4．23％、5．16％和7．03％(测试条件为：AMI．5， lO00W／c )。其组件效率的提高，归因于在预置层生长温度为400％B~所制备的CulnoGao，se2薄膜具有 良好的结 构特性和组份均匀性。 关键词 ：Culno7Gao3se2薄膜；预置层 (Ino7Gao3)2Se3；集成组件 中图分类号：TM615 文献标识号：A 0 引 言 1 实 验 目前cu(In，Ga)S％(CIGS)单结薄膜太阳电池的 1．1 CIGS吸收层的制备工艺 转换效率已经达到了l9．5％，其吸收层 cuInca．一 利用PVD设备沉积CulnoGao，se2吸收层，薄膜 薄膜质量是获得高效电池的关键 j。对于大面 生长时的本底真空度维持在 l0 Pa量级，衬底为覆 积 CIGS集成电池的吸收层薄膜 ，成分均匀性和结构 有Mo层的钠钙玻璃 。CulnoGao，Se2薄膜采用三步 相的工艺有效控制显得尤为重要。三步共蒸工艺已 共蒸工艺顺序沉积：第一步，共蒸 In、ca、Se形成 作为集成组件吸收层的制备方法之一，在中试线上 (Ino7Gao)2se3预置层(precursors)；第二步在衬底温 均得到了可行性 的证实。13本 NEDO(NationalEnergy 度为 550～580~C时蒸发Cu、Se，此时衬底加热功率恒 DevelopmentOrganization)10cmX10cm组件效率 为 定，当薄膜中cu物质的量浓度超过25％时，通过检 12．6％ ，德国WUrth公司30cm×30cm与60cm× 测衬底温度下降时间来结束第二步，其中衬底温度 120cm集成组件的效率也已超过 10％[33。但在共蒸 下降是由于在表面及晶界处形成液相 cu一Se时的 发工艺中，生长温度对 (In0，Gao，)：se3预置层 (pre— 吸热反应所引起的；第三步，保持第二步的衬底温 cUl2BOIS)和 CIGS吸收层的影响以及集成组件成分均 度，在稍微富 cu的薄膜上共蒸少量的In、ca、Se，在 匀性等方面的问题至今没有确切结论 ，仍需要进一 薄膜表层形成富 In的薄层 J，并最终得到 cu物质 步研究。 的量浓度介于22％～24％的CulnoGao，se2薄膜。 本文在转换效率 l2．1％(有效面积 0．91era2) 1．2 集成组件的制备 CIGS单结电池的研究基础上 j，采用三步共蒸工艺 10cmX10cmCIGS集成组件的制备工艺顺序如 制备大面积 CIGS吸收层，研究了生长温度对 (Ino 下：采用直流溅射工艺在钠钙玻璃衬底上制备背电 Gao，)se3预置层及制备 CulnoGao，se2吸收层的影 极Mo薄膜，对背电极进行激光划线；CIGS吸收层采 响。利用 XRD、XRF等分析方法，对 CuInoGao，Se2 用上述三步共蒸工艺沉积 ；利用化学水浴工艺沉积 吸收层的成分和结构相进行了分析，所制备的