半导体费米能级推导.pdfVIP

第一章 光辐射探测的理论基础 ·9 · 3 ．杂质半导体的能带 （1）N 型半导体 如果在四价的锗(Ge)或硅(Si)组成的晶体中掺入五价原子磷(P) 或砷(As)，就可以构成 N 型半导体。以硅掺磷为例，如图 1－8(b)所示，五价的磷用四个价电子与周围的硅原子组成共 价键，尚多余一个电子。这个电子受到的束缚力比共价键上的电子要小得多，很容易被磷原 子释放，跃迁成为自由电子，该磷原子就成为正离子，这个易释放电子的原子称为施主（原 子）。由于施主原子的存在，它会产生附加的束缚电子的能量状态。这种能量状态称为施主能 级，用 Ea 表示，它位于禁带之中靠近导带底的附近。 施主能级表明，P 原子中的多余电子很容易从该能级（而不是价带）跃迁到导带而形成 自由电子。因此，虽然只要掺入少量杂质，却可以明显地改变导带中的电子数目，从而显著 地影响半导体的电导率。实际上，杂质半导体的导电性能完全由掺杂情况决定，掺杂百万分 之一就可使杂质半导体的载流子浓度达到本征半导体的百万倍。 N 型半导体中，除杂质提供的自由电子外，原晶体本身也会产生少量的电子－空穴对， 但由于施主能级的作用增加了许多额外的自由电子，使自由电子数远大于空穴数，如图 1－ 8(b)所示。因此，N 型半导体将以自由电子导电为主，自由电子为多数载流子（简称多子）， 而空穴为少数载流子（简称少子）。 （2 ）P 型半导体 如果在四价锗或硅晶体中掺入三价原子硼(B)，就可以构成P 型半导体。以硅掺硼为例， 如图 1－8(c)所示，硼原子的三个电子与周围硅原子要组成共价键，尚缺少一个电子。于是， 它很容易从硅晶体中获取一个电子而形成稳定结构，这就使硼原子变成负离子而在锗晶体中 出现空穴。这个容易获取电子的原子称为受主（原子）。由于受主原子的存在，也会产生附加 的受主获取电子的能量状态。这种能量状态称为受主能级，用Ed 表示，它位于禁带之中靠近 价带顶附近。受主能级表明，B 原子很容易从 Si 晶体中获取一个电子形成稳定结构，即电子 很容易从价带跃迁到该能级（不是导带），或者说空穴跃迁到价带。 与 N 型半导体的分析同理，图 1－8(c)价带中的空穴数目远大于导带中的电子数目。P 型 半导体将以空穴导电为主，空穴为多数载流子（简称多子），而自由电子为少数载流子（简称 少子）。 二、热平衡状态下的载流子 一个不受外界影响的封闭系统，其状态参量（如温度、载流子浓度等）与时间无关的状 态称为热平衡态。下面讨论热平衡态下载流子的浓度。 根据量子理论和泡利不相容原理，半导体中电子的能级分布服从费米统计分布规律。即， 在热平衡条件下，能量为 E 的能级被电子占据的概率为： 1 f n (E ) ⎛E −Ef ⎞ （1－18） 1+exp⎜ ⎟ ⎝ kT ⎠ -23 式中，Ef 为费米能级；k=1.38 ×10 J/K 为玻耳兹曼常数；T 为绝对温度。 空穴的占据概率是不被电子占据的概率，它为 ·10 · 光电技术 1 f p 1=−f n (E ) ⎛Ef −E ⎞ （1－19） 1+exp⎜ ⎟ ⎝ kT ⎠ Ef 并