从电可调远程量子点的双光子干扰的发射.docxVIP

远程电可调量子点发射出的双光子的干涉摘要自组装的量子点包括一个研究固态量子效应的多功能系统。许多设备已经开发来能够演示量子点的可控制充电、拉比震荡、相干自旋控制和电注入非经典光子的过程。通常被称为的“人工原子”，其量子点具有离散的能量级，使得它们用于编码的量子位可进行选择的，然而，这和单原子不同的是，没有两个量子点是一样的。这就要求区分光子介导的远程系统之间相同状态进行初始化的量子位和相互作用的量子信息应用程序的并发。我们发现，真正远程的、独立的量子点可以被调谐到同一能量用于大的可应用电场。这使得在耦合门控制发射双光子干扰和打开远程固态源之间传递量子信息成为可能。在离子、原子之间参量转换下，已经观察到在自然情况下具有相同能量的光子和远程源之间的量子效应。最近，虽然干扰的可见性由于缺乏对发射能量和光子发射量的控制而被阻碍，但是，量子干涉已经由光子在同一芯片上的两个供体上的杂质上表现出来。这将有望能够独立地精确改造单个发射器的特性。计算两个量子点在相同能量下的发生转变的概率。通常情况下，跃迁能量宽度最多10电子伏，每个单独能量线的宽度有1到5微电子伏。因此，只有在一分钟时间内有机会发现有显著重叠光谱的量子点。也许调谐能量最实用的方法是施加一个垂直电场，但是，在使用的最常见的系统中In GaAs量子点和GaAs周边材料的低能量偏移限制了在隧道出口点的可施加的最大垂直电场强度才几十千伏每平方厘米，而斯塔克效应证明发射能量线通常约为1毫电子伏。我们通过在GaAs/AlGaAs量子势井中心嵌入我们的量子点来规避这个问题。能带结构图如图1a所示。这个办法不仅保留了In GaAs/GaAs量子点系统的有利特性，而且还允许载流子限制，甚至可用特大垂直电场，其能量允许高达25微电子伏的变化。使用这种调谐技术，从远程量子点发射的光子被证明是难以区分的。我们在研究中使用了两组样品。第一组样品记作A，用做参考样品，在固定能量点1.314电子伏发射。第二组是一组可调的量子点（详见方法）。通常，几乎单个可调的量子点的载流子占有率的变化是有效电场F的函数（如图1b）。激发子（x）、双激发子（xx）和电荷激发子（x2,第x）的状态都可以鉴别。每个状态在电场高达-500KV/cm下以抛物线的方式变化。电场在先前提到的值基础上以指数级增长，当达到260KV/cm时停止。高达25毫电子伏的斯塔克变化已经在单个X状态下观察到了。这和在更小的电场下测得的极化率和偶极距的数据一致。虽然识别最亮和最窄的线有一些偏差，但是我们发现大多数量子点都能够被调谐到目标能量1.314电子伏。下面我们利用点X2的状态加以说明。图1C演示了X2状态下两个能量相同的量子点的调谐。可调点（DOT1）加上250KV电场下以1.314电子伏发射光子。用布里 - PErot干涉仪扫描（在0.8微电子伏的分辨率）得到的高分率光谱中两个状态被调谐到简并。点A有一条宽度为最大值一半5.2微电子伏的洛伦兹线。然而，点1在2.2微电子伏处的均匀线宽和在6.8微电子伏出的不均匀线宽都适合福格特函数。注意的是，其他点的谱线都变现为洛伦兹主线型。众所周知，频谱扩散是由于在静电环境下附近的杂质和缺陷俘获电子或其电子逃逸所引起的波动导致的，从而导致谱线有不同形状和宽度。为了进一步证明以上对能量的控制，采取双光子干扰测量这两个点。双光子干涉是指两个单光子从相反方向进入一个50:50的分光镜而聚合后一起发射出来，在这种条件下他们无法被区分开来的现象。这种方法还被用作一个量子光源的纯度测试。如图2所示，样品被保存在两个单独的相距1.1米的低温恒温器中。极化鉴别用来从每个不同样品沿着特殊纤维制成的不同路径发射光子，使它们在50:50的耦合器中干涉（详见方法）。图3a和3b给出了双光子干涉的数据。其中点1和点A的能量失谐，ΔE=0 μeV，并且每个源发射的光子分别在平行方向和垂直方向都有偏振。双光子干涉的鲜明特征是在τ=0 ns时有一个相差。对于正交极化光子来说，光子是可以区别的而且相互之间不会发生干涉。因此，两个光子同时以相同或者相反方向从光束分离器出来的结果各占一半，相差为50%。图1、可调源的光谱和结构特性。a、可调谐器件的活性区域附近的能带结构的示意图。InAs量子点层生长在包裹有Al0.75Ga0.25As短周期超晶格的10nmGaAs量子墙的中心。b、单量子点作为域的典型的光谱是变化的。态被标识为激子(X)双激子(XX)和带电激子（X-，X+）。c、调谐点A和点1到相同的能量。d、在零失谐点A（黑圈）和1点（蓝圈）的高分辨率光谱。洛伦兹谱（蓝色曲线）是点A在线宽为5.2μeV观察得到。点1显示为高斯分量并且和福格特函数（蓝色曲线）切合，也切合用最小二乘法拟合的残差。难以区分光子具有平行方向偏振，发生干涉失会偶然情况下