IGBT交换特性知识.pdf

1、静态特性： 用图 2-1 、图 2-2 表示 VCE-IC （一般称为输出特性）的 VGE 依存性。因为该特性表示 IGBT 在导 通状态下下降电压（ VCE ）和电流（ IC ）间的关系，所以形成了在导通状态下 IGBT 中发生的损耗。 然而，虽然 VCE 越低发生的损耗越小，但是由于该特性是根据温度 Tj 和 VGE 的变化而随之变化的， 因此在设计时要充分考虑这一特性。一般情况，推荐在 VGE=15V 时装置中发生的最大输出电流≦元件的 IC 额定电流值的情况下使用。 2-3 是将图 2-1 中的数据转化成 VCE-VGE 特性的 IC 依存性的曲线图。可以从中看出 VCE （损耗） 急剧增加到极限时 VGE 的大体标准值。 2011.7.8 2、交换特性 交换时间 IGBT 的主要开关参数： 开通时间（td(on)+tr ）— 器件从关断状态到开通状态所需要的时间； 开通延迟时间 td(on) ：开通时，从栅极电压的 10%开始到集电极电流上升至最大值的 10%所需时 间 开通上升时间 tr ：开通时从集电极电流最大值的 10%开始到集电极电流上升至最大值的 90%所需 时间 关断时间（td(off)+tf ）— 器件从开通状态到关断状态所需要的时间； 关断延迟时间 td(off) ：关断时，从栅极电压下降至90%开始到集电极电流下降至 90%所需的时间 关断时间 tf ：关断时，集电极电流由开通值的90%下降至 10%所需的时间 开通损耗（Eon ）— 器件在开通时的能量损耗； 关断损耗（Eoff ）— 器件在关断时的能量损耗。 图 2-6 、图 2-7 表示了交换时间和集电极电流的关系，图 2-8 表示了交换时间和栅极电阻的关系。交换 时间随集电极电流(IC) 、温度（Tj ）、栅极电阻(RG) 的变化而变化。比如说，在交换时间（特别是 toff ） 变长的条件（RG 较大等）下使用，可能出现由于空载时间不足而引发串联支路短路（即：在一头的 IGBT 关断前，另一头的 IGBT 已经导通），从而流过过大的电流的不良情况，导致元件遭到破坏。另外在 tr 过 短的条件下（由于 RG 过小等原因）使用的话，瞬态的电流变化（dIc/dt ）变大，由于电路中的电感（Ls ） 而产生的尖峰电压（=Ls ×dIc/dt ）超出了 RBSOA 范围而导致元件遭到破坏。 另一方面，交换损耗（Eon 、Eoff 、Err ）是在 IGBT 交换时（开通、关断时）发生的。该特性正如图 2-9 、 图 2-10 所示靠温度（Tj ）、IC 、RG 而变化。其中特别是对 RG 的选定非常重要，如果过大，不但交换 损耗变大，而且容易引起前面所述的由于空载时间不足而产生的串联支路短路。反之，在为了使交换损耗 降到最低而将 RG 变小时，有可能出现前面所述的激烈的尖峰电压（=Ls ×dIc/dt ）的问题。从这里看出， 对于选定 RG ，主电路的电感（Ls ）非常重要。该数值越低，对于选定 RG 就变得越容易（即使 RG 小， 尖峰电压也不容易出现）。 栅极电阻（RG ）：其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率，并且防止寄生电感与电容振荡， 限制 IGBT 集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小——充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，增强工作的耐固性，避免带来因 dv/dt 的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在 IGBT 上产生大的电压尖峰，使得栅极承受噪声能力小，易 产生寄生振荡。 栅极电阻值大——充放电较慢，开关时间和开关损耗增大。 (1) 交换特性在开通和关断时均依存于 RG ，RG 越大，交换时间和交换损耗就越大，但交换时的浪涌电 压变小。 (2) dv/d