高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制.pdfVIP

29 　 2 　　　 Vol.29 No.2 200 8 4 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Apr., 2008 :1000-70 32 (2008)02-0 330-07 高亮度大功率 InGaAlP红光 LE芯片研制 王小丽, 牛萍娟, 李晓云, 于莉媛, 杨广华, 刘宏伟, 高铁成, 罗惠英, 战　瑛, 于　欣 (, 　300160 ) : InGaAlP LE, 。 LE, LE, 。 I-V、、。, V T 1.5 V; 3 V, 500 mA; 350 mA, 635 nm, 16.4 nm, 830 mcd。, x=0.694 3, y=0.305