InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展_金智.pdfVIP

第 11 卷 第 1 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．11，No．1 2013 年 2 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Feb．，2013 文章编号：2095-4980(2013)01-0043-07 InP 基三端太赫兹固态电子器件和电路发展 金 智，苏永波，张毕禅，丁 芃，汪丽丹，周静涛，杨成樾，刘新宇 ( 中国科学院 微电子研究所，北京 100029) 摘 要 ：随着微电子技术的飞速发展，半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段，太赫 兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到 THz 频段。 本文重点介绍 InP 基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。 关键