半导体物理应用题2009.docVIP

1.某半导体价带顶附近能量色散关系可表示为：，现将其中一波矢为的电子移走，试求此电子留下的空穴的有效质量，波矢及速度。 解：价带顶附近等能面为球面, 因此有效质量各向同性，均为： 电子有效质量: 空穴有效质量: 空穴波矢： 因为: 空穴速度: 2.某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求： 能带宽度； 能带底和能带顶的有效质量。 解： 由题意得： （2） 答：能带宽度约为1.1384Ev，能带顶部电子的有效质量约为1.925x10-27kg，能带底部电子的有效质量约为-1.925x10-27kg。 3. 已知晶格常数为的一维晶格， 其导带和价带极小值附近能量可分别表示为：和，式中电子惯性质量，, 。 试求: 1) 禁带宽度； 2) 导带底电子有效质量； 3) 价带顶电子有效质量。 1. 解： 1) 禁带宽度 对于导带: 对于价带： 2) 导带底电子有效质量 3) 价带顶电子有效质量 4.已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg?1.12 eV，价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn?0.55，导带的有效状态密度NC?2.8?1019/cm3, kT?0.026 eV，。试计算： 1）室温(300K)下，纯净单晶硅的本征费米能级Ei； 2）室温(300K)下，掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。 解：1）纯净单晶硅的本征费米能级 在禁带中线偏下0.012 eV 处 2）掺磷浓度为的n型单晶硅的费米能级 在导带底偏下0.06 eV处 5.室温下，若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？ 解：由 得 可见， 又因为 ，则 假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 答：第一种半导体中的空穴的浓度为1.1x1010cm-3,费米能级在价带上方0.234eV处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3x103cm-3,费米能级在价带上方0.331eV处。掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 6. 含受主浓度为8.0×106cm-3和施主浓度为7.25×1017cm-3的Si材料，试求温度分别为300K和400K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。 解：由于杂质基本全电离，杂质补偿之后，有效施主浓度 则300K时， 电子浓度 空穴浓度 费米能级 在400K时，根据电中性条件 和 得到 费米能级 答：300K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别为7.25 x1017cm-3和3.11x102cm-3，费米能级在价带上方0.3896eV处；400 K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别近似为为7.248 x1017cm-3和1.3795x108cm-3，费米能级在价带上方0.08196eV处。 7. 现有一掺杂半导体硅材料，已测得室温(300K)下的平衡空穴浓度为, 已知室温下纯净单晶硅的禁带宽度, 本征载流子浓度，室温的值为。 1) 计算该材料的平衡电子浓度n0； 2) 判别该材料的导电类型; 3) 计算该材料的费米能级位置EF。 2. 解： 1）平衡电子浓度 2）因为，故为型半导体 3）费米能级 费米能级位于禁带中线下处 8.试分别计算本征Si在77K、300K和500K下的载流子浓度。 解： 假设载流子的有效质量近似不变，则 所以，由 ，有 答：77K下载流子浓度约为1.159×10-80cm-3，300 K下载流子浓度约为3.5×1