采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究.pdfVIP

　第 19 卷第 2 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 2　 V o l N o 　1998 年 2 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Feb. , 1998　 采用多孔氧化硅形成超薄 SO I 结构的研究 1 1 黄宜平　李爱珍　蒋美萍 　邹斯洵　李金华 　竺士炀 ( 复旦大学电子工程系　上海　200433) ( 1 江苏石油化工学院　常州　213016) 摘要　本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于 100nm 、硅岛宽度大于 100m 的 超薄 SO I (T FSO I) 结构. 用透视电