PN结及其单向导电特性半导体二极管的伏安特性曲线.pptVIP

第1章???半导体器件 * * 本章重点内容 PN结及其单向导电特性 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管在实际中的应用 三极管的结构和工作原理 三极管的放大作用 三极管的测量 1.1???? PN结 1.1.1 本征半导体 空穴 自由电子 a b c ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 共价键的两 个价电子 价电子 ＋4 （a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1.2 杂质半导体 1．N型半导体 2．P型半导体 磷原子 自由电子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.2 N型半导体的结构 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 空穴 硼原子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.3 P型半导体的结构 3. PN结的形成 内电场 P区 N区 P区 N区 空间电荷区 图1.4 PN结的形成 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4． PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性 R 外电场 内电场 IR 空穴 (多数) 电子 (多数) N P 变薄 N P 变 厚 IR≈0 R 外电场 内电场 电子 (少数) 空穴 (少数) (a) 正向偏置 （b）反向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. － 外壳 (阴极) (阳极) P N 阳极引线 阴极引线 VD － ＋ (阴极) （a） 结构 （b）电路符号 （c）实物外形 图1.6 二极管结构、符号及外形 uv/V ? ? ? ? 0 15 10 5 ? ? （μA） iv/mA ? ? ? ? A B B′ A′ -5 IR 0.2 0.4 0.6 0.8 ? ? ? ? C′ D′ D C -30 -U（BR） 硅 锗 图1。.7 二极管伏安特性曲线 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1．正向特性 2．反向特性 3．反向击穿特性 4．温度对特性的影响 1.2.3 半导体二极管的主要参数 1．最大整流电流IF 2．最大反向工作电压URM 3．反向饱和电流IR 4．二极管的直流电阻R 5．最高工作频率fM 1.2.4 半导体二极管的命名及分类 1．半导体二极管的命名方法 Evaluation only. Created with A