第一性原理计算Cu_Cr共掺AlN稀磁半导体.pdfVIP

第３３卷 第１期 计　 　 算　 　 物　 　 理 Ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．１ ２０１６年１月 　 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＣＯＭＰＵＴＡＴＩＯＮＡＬ ＰＨＹＳＩＣＳ　 Ｊａｎ． ，２０１６ 文章编号：１００１⁃２４６Ｘ（２０１６）０１⁃００９９⁃０９ 第一性原理计算 Ｃｕ⁃Ｃｒ共掺ＡｌＮ稀磁半导体 ∗ 王　 静，　 樊　 聪，　 邓军权，　 毋志民 ，　 刘　 畅，　 范　 凤，　 胡爱元，　 崔玉亭 （重庆师范大学物理与电子工程学院，光电功能材料重庆市重点实验室，重庆　 ４０１３３１） 摘　 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，结合广义梯度（ＧＧＡ）近似对 Ｃｒ单掺ＡｌＮ和 Ｃｕ⁃Ｃｒ共掺ＡｌＮ的３２原子超原胞体系进行几何结构优化，计算它们的晶格常数，能带结构，电子态密度以及光学性 质．结果表明Ｃｒ单掺ＡｌＮ和Ｃｕ⁃Ｃｒ共掺ＡｌＮ均表现为半金属性质，带隙变窄，且Ｃｕ⁃Ｃｒ共掺体系自旋极化作用较Ｃｒ 单掺强，材料