03.放大电路的频率特性.doc

返回＞＞ 第三章 放大电路的频率特性 通常，放大电路的输入信号不是单一频率的正弦信号，而是各种不同频率分量组成的复合信号。由于三极管本身具有电容效应，以及放大电路中存在电抗元件(如耦合电容和旁路电容)，因此，对于不同频率分量，电抗元件的电抗和相位移均不同，所以，放大电路的电压放大倍数Au和相角φ成为频率的函数。我们把这种函数关系称为放大电路的频率特性。 §1频率特性的一般概念 一、频率特性的概念 以共e极基本放大电路为例，定性地分析一下当输入信号频率发生变化时，放大倍数将怎样变化。 在中频段，由于电容可以不考虑，中频Aum电压放大倍数基本上不随频率而变化。，即无附加相移。对共发射极放大电路来说，输出电压和输入电压反相。 在低频段，由耦合电容的容抗变大，电压放大倍数Au变小，同时也将在输出电压和输入电压间产生相移。我们定义：当放大倍数下降到中频率放大倍数的0.707倍时，即时的频率称为下限频率fl 0.707倍时，即时的频率为上限频率fh。 共e极的电压放大倍数是一个复数， 其中，幅值Au和相角都是频率的函数，分别称为放大电路的幅频特性和相频特性。 我们称上限频率与下限频率之差为通频带。 表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力，它是放大电路的重要技术指标之一。 二、线性失真 由于通频带不会无穷大，因此对于不同频率的信号，放大倍数的幅值不同，相位也不同。当输入信号包含有若干多次谐波成分时，经过放大电路后，其输出波形将产生频率失真。由于它是电抗元件产生的，而电抗元件又是线性元件，故这种失真称为线性失真。线性失真又分为相频失真和幅频失真。 1．相频失真 由于放大器对不同频率成分的相位移不同，而使放大后的输出波形产生了失真。 2．幅频失真 由于放大器对于不同频率成分的放大倍数不同，而使放大后的输出波形产生了失真。 线性失真和非线性失真本质上的区别：非线性失真产生新的频率成分，而线性失真不产生新的频率成分。 §2三极管的频率参数 影响放大电路的频率特性，除了外电路的耦合电容和旁路电容外，还有三极管内部的级间电容或其它参数的影响。前者主要影响低频特性，后者主要影响高频特性。 一、三极管的频率特性 中频时，认为三极管的共发射极放大电路的电流放大系数β是常数。实际上是，当频率升高时，由于管子内部的电容效应，其放大作用下降。所以电流放大系数是频率的函数，可表示如下： 其中β0是三极管中频时的共发射极电流放大系数，为共发射极电流放大系数的截止频率。上式也可以用的模和相角来表示。 的幅频特性。通常用以下几个参数来表示三极管的高频性能。 二、表述三极管频率特性的几个参数 1. 共发射极电流放大系数β的截止频率 当||值下降到β00.707倍时的频率 2. 特征频率 定义||值为1时的频率代入（）式得： 由于通常，所以上式可简化为 3. 共基极电流放大系数的截止频率 由前述的关系得 也是频率的函数，表示为： 其中为的截止频率，定义为||下降为中频的0.707倍时的频率。 、、之间的关系： 将代入得 可见： 一般，所以： 三、三极管混合参数π型等效电路 当考虑到电容效应时，h参数将是随频率而变化的复数，在分析时十分不便。为此，引出混合参数π型等效电路。从三极管的物理结构出发，将各极间存在的电容效应包含在内，形成了一个既实用又方便的模型，这就是混合π型。低频时三极管的h参数模型与混合π模型是一致的，所以可通过h参数计算混合π型中的某些参数。 1．完整的混合π型模型 如下图为三极管的结构示意图和混合π型等效电路。其中Cπ为发射结的电容，Cμ为集电结的电容。受控源用而不用，其原因是Ib不仅包含流过的电流，还包含了流过结电容的电流，因此受控源电流已不再与Ib成正比。理论分析表明，受控源与基极、射极之间的电压成正比。gm称为跨导，表示变化1V时，集电极电流的变化量。 很大，可以视为开路，且rceRc大得多，因此也可以忽略。得出下图简化混合π型等效电路。 当在中频区时，不考虑Cπ和Cμ的作用，得到下图(a)简化π型等效电路，和原来简化的h参数等效电路相比较，就可建立混合π型参数和h参数之间的关系。从而求出π参数的值。 因为 所以 又 故 从上式可以看出，rbe、gm等参数和工作点的电流有关。对于一般的小功率三极管，rbb约为几十～几百欧，rbe为1kΩ左右，gm约为几十毫安/伏。Cμ可从手册中查到，Cπ值一般手册未给，可查出fT，按如下公式算出Cπ值。 2．简化的混合π型模型 由于Cμ跨接在基－集之间，分析计算时列出的电路方程较复杂，解起来十分麻烦，为此可得用密勒定理，将Cμ分别等效为输入端电容和输出端电容。 密