2-4场效应管及放大电路.pptVIP

2.4.1 场效应管的结构、类型 N沟道 1. N沟道增强型MOSFET (1) 结构与符号 (2) 工作原理 vGS=0时，没有感生沟道，两个PN结背靠背，无论vDS为正为负，均没有iD电 流产生。 在绝缘层中形成的强电场吸引P型衬底中的电子，使其在靠近表面处形成N型薄层，称反型层，由于它是栅极正电压感应产生的，又称感生沟道。 若vDS较小，漏极电流iD随vDS的上升接近线性增加； 当vDS增大到一定数值，感生沟道在靠近漏端被夹断, iD趋于饱和 (3) 特性曲线 2. N沟道耗尽型MOSFET 由于事先在SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，所以当vGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，在漏源之间形成了导电沟道。于是只要有漏源电压，就有漏极电流存在。 5. FET和BJT的比较 FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件；FET放大电路的放大倍数低。 FET中导电载流子只有一种(单极型器件)，而BJT中同时存在两种(双极型器件)，所以FET有较好的温度稳定性和低噪声性能。 FET无栅极电流，输入电阻大；BJT输入端PN结正偏，输入电流大，输入电阻小。 FET使用时d极、s极可以互换；而BJT的c极、e极不可以互换。 FET制造工艺简单，芯片占用面积小，更适于在集成电路中使用。 MOS管栅极绝缘且绝缘层很薄，所以较小的感生电压能产生很高的电场，易使绝缘层