半导体器件原理简明教程习题傅兴华选读.pdf

半导体器件原理简明教程习题傅兴华选读.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体器件原理简明教程习题答案 傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料; 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量,根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率 的相对大小. 2 1 1  E k 解 有效质量指的是对加速度的阻力. m * h k 由能带图可知,Ge 与Si 为间接带隙半导体,Si 的Eg 比Ge 的Rg 大,所以 .GaAs 为   Ge Si 直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说 . GaAs   Ge Si 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料 1 的禁带宽度为1.1eV,材料2 的禁带宽度为 3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适 合制作高温环境下工作的器件? 15 mdn mdp Eg 解 本征载流子浓度:ni 4.82 10 ( 2 ) exp( ) m0 kT 两种半导体除禁带以外的其他性质相同 n exp(1.1) 1.9 1.9  1 kT exp( )

文档评论(0)

1112111 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档