一种新型硅基恒流二极管的特性研究.pdf

第 卷第 期 微 电 子 学 ， ４６ ２ Ｖｏｌ．４６ Ｎｏ．２ 年 月 ２０１６ ４ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａ ｒ．２０１６ ｐ  一种新型硅基恒流二极管的特性研究 ， ， 柴彦科 高 桦 刘 肃 　 　 （ ， ） 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 兰州 ７３００００ ： ， 摘 要 提出了一种新型硅基环状分布垂直沟道恒流二极管 包括并联的结型场效应晶体管和 　 　 。 ， 、 ＰＩＮ整流管 建立了器件的数值模型 并利用 ＳＩＬＶＡＣＯ ＴＣＡＤ 仿真工具对器件的恒定电流值 　 。 ， ， ， ， 击穿电压等特征参数进行模拟 结果显示 该器件工作于正向时 恒流效果好 开启电压约为 ３Ｖ ； ， ， 。 击穿电压可达 １４０Ｖ 该器件工作在反向时 表现出良好的整流特性 开启电压约为０．８Ｖ ： ； ； 关键词 恒流二极管 结型场效应晶体管 击穿电压 　 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３１ Ａ １００４３３６５２０１６０２０２８２０３ － － － DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.02.030 Ｓｔｕｄ ｏｎＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆａＮｏｖｅｌＳｉＢａｓｅｄＣｕｒｒｅｎｔＲｅ ｕｌａｔｉｖｅＤｉｏｄｅ ｙ 　 　 　　 　 － 　 　 ｇ 　 　 ， ， ＣＨＡＩＹａｎｋｅ ＧＡＯ Ｈｕａ ＬＩＵ Ｓｕ 　 　 　 （ ， ， ， ， ） Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｃｈｏｏｌｏ Ｐｈ ｓｉｃａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏ ＬａｎｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉ