Sb掺杂二氧化锡单片纳米带的气敏特性研究.pdf

Sb掺杂二氧化锡单片纳米带的气敏特性研究／艾 鹏等 ·87 · Sb掺杂二氧化锡单片纳米带的气敏特性研究 艾 鹏，龚乃 良，刘应开 (云南师范大学物理与电子信息学院，昆明650500) 摘要 利用热蒸发法制备了纯净的sn02纳米带及 sb掺杂SnOz纳米带。通过扫描 电子显微镜 (SEM)、X射 线衍射 (XRD)、透射 电子显微镜(TEM)和气敏测试仪器对其结构和性能进行 了表征和测试。结果表明纳米带表面 光滑，厚度约为50nm。纯净s 纳米带为理想的单晶结构，掺杂sb后并没有改变二氧化锡的晶体结构和晶胞参 数。使用单根 sb掺杂和纯净的sn02纳米带制作成传感器并进行气敏性能测试，结果显示：sb掺杂sn02纳米带对 乙二醇和丙酮的最佳响应温度为 180℃，在 100×i0 浓度下对 乙二醇和丙酮的气敏响应分别为 1O倍和 1．2倍；对 乙醇的最佳响应温度为200℃，响应为2．6倍。在最佳响