反激电源RCD电路的实践 测试图解分析.docxVIP

关于反激RCD的实验 先开个头 自己以前没搞过反激准谐振(QR)模式，前一阵子趁有点时间自己搞了一台，用的NCP1207，想改公司一个24V输入转28V1A输出的产品试试 结果画好板了，一看NCP1207的最低输入电压为40V，傻眼了 算了，不改了就当自己做实验玩吧 就改了个48输入12V3A输出的反激准谐振小电源，等焊好一上电，没反应，衰啊 后来慢慢搞，终于有输出了，发现NCP1207的3脚过流那个点很不好调，以后要记着了 最后调出来了，12V2.5A的时候效率最高，92的样子，3A的时候效率90 自我感觉还不错。估计还有提升的可能 后来想着怎么也做出来了，就研究下RC取值对MOS的VDS尖峰和电源整体效率的影响 然后开始在网上和论坛上找些关机计算RCD中的RC计算公式，然后和实验比对下看看是否合理! 感觉自己是太闲了 回头把示波器波形和参数放上来，留着这里丢不了 先看最早的一张，初级RCD，R用的68K，C用的471P。D用的RS1M。D一直未作改动，下边统一叫初级和次级。次级RC没有加，峰峰值为196V!(次级我是在变压器两端加的，没有加在整流管的两端!) 第二张，想着把次级的加个小吸收，看看对初级的影响。初级R=68K，C=471P;次级R=22R,C=471P.峰峰值为190v 第三张，初级不动，R=68K,C=471P;把次级的C加大，次级R=22R，C=681 P，峰峰值还是为190V 第四张，接着加大次级电容，初级R=68K，C=471P;次级R=22R，C=102P.峰峰值小了2V，188V了 第五张，继续加大次级电容，初级R=68K，C=471P，次级C=472P ，把R去掉了，峰峰值160V了。(主要是考虑R会消耗能量影响效率!) 第六张，感觉次级加大不太明显，就加下初级吧，先把初级的C加大吧，直接吸得狠点 ,结果初级R=68K，C=472，次级直接RC取消了，峰峰值168V，还管点事 第七张，那把次级加个RC吸收啥效果呢，初级R=68K,C=472P;次级R=22R,C=102P;峰峰值156V，又下来点! 第八张，把次级还直接搞到472试试，初级还是R=68K,C=472P;次级C=472，R还去掉，峰峰值150V了 以上八张说明电容对MOS的峰值有影响，但也不能太大，还有一个可调的点一直没调呢，调调那个点试试 第九张，还是初级电容从小到大，所以初级C=471P,R=68K/2;次级无,峰峰值194V，基本和68K没啥变化 第10张 ，初级电容C=471P不变，电阻R=68K/3，次级还是没有，峰峰值还是194V，和上边没啥区别啊 第十一张，接着减小初级R的值,C=471P,R=68K/4，次级无，峰峰值还是194V，无语了，难道R不管事，非也，接着往下看! 第十二张，既然这样，我把初级的C加大呢，是不是C的容值太小，吸收的能量太小!所以直接上到472，初级C=472，R=68K/2;次级还是没有，峰峰值154V，效果出来了 第十三张，我接着减小初级R的值，C=472P,R=68K/3;次级无，峰峰值150V，比起上边来，下降的不明显了。 第十四张，继续减小R的值，C=472P,R=68K/4，次级无，峰峰值146V，确实是下降不明显了，该考虑新方法了! 第十五张，上边减小电阻，变化不太明显了，那还把次级的吸收加进去呢，初级我用的C=472P,R=15K;次级C=102R=22R。峰峰值136V，不错哦! 第十六张，我要是接着减小初级R电阻值呢，下边出来了，C=472P,R=10K;次级C=102P,R=22R。峰峰值130V，又下去了点 第十七张，我要继续减小初级R的值呢，C=472P,R=5.1K;次级C=102P,R=22R,峰峰值132，没下去哦，而且效率直接掉了还几个点，看来是不能太小哦 从上边的实验可以看出，RCD吸收中的RC选择要合理，否则不是起不到应有的效果就是影响效率。后面我在补充一种计算RCD的计算方法，看看算出来的和实际用的有多杀差别! RCD的计算方法 先上个RCD钳位的原理图 再上个MOS的VDS波形 下面再说几个名词，这几个名词其实大家也知道，一个是钳位电压，上边用Vsn表示;一个是折射电压，上边用VRO表示;还有个脉动电压，上边用ΔV表示;MOS管的最大耐压，上边用BVdss表示;电源的最高输入电压，上边用Vin max表示。 1.钳位电压Vsn是电容C两端的电压，与选用MOS的BVdss及最高输入电压以及降额系数有关，一般在最高输入电压Vin max下考虑0.9的降额，则有 Vsn=0.9*BVdss-Vin max(我上边的实验选择的MOS为IRF640，BVdss=200V，Vin max=70V) 可以算出钳位电压Vsn为110V