第八章1 光电式传感器.ppt

光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 * * 第八章 光电式传感器 将光量的变化转换为电量变化的装置 工作原理：光电效应 物体吸收了光能后转换为该物体的某些电子能量而产生的电效应。 光电效应 外光电效应 内光电效应 一、 外光电效应 在光照下，物体内电子逸出物体表面向外发射的现象。 真空光电管 phototube 在各个倍增极上加上一定的电压，阴极K电位最低，从阴极开始，各个倍增极电位依次升高，阳极A电位最高。 二、 内光电效应 在光线作用下，物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应称为内光电效应。 光电导效应 光生伏特效应 1、光电池 2、光敏电阻 3、光敏二极管和光敏三极管 4、CCD(电荷耦合器件) 几种常见的光电器件 8.1 常见光电器件 一、光敏电阻 光敏电阻结构 (a) 光敏电阻结构； (b) 光敏电阻电极； (c) 光敏电阻接线图 1. 光敏电阻的结构和原理 (1) 暗电阻： 2. 光敏电阻的主要参数 (3) 光电流： 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻， 此时流过的电流称为暗电流。 (2) 亮电阻： 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻，此时流过的 电流称为亮电流。 亮电流与暗电流之差称为光电流。 Question： 那么实际应用中，我们希望暗电阻越大越好？亮电阻呢？ Answer： 暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，这样灵敏度就越高。 3. 光敏电阻的特性 1）伏安特性 阻值大小与照度有关 电压越高，光电流越大，且没有饱和现象。 50 100 150 200 1 2 0 20 40 I/ mA 1：照度10lx 2：照度100lx U/V 20 40 60 80 100 400 800 1200 1600 2000 2400 λ/nm 3 1 2 相对灵敏度 1——硫化镉 2——硒化镉 3——硫化铅 2）光谱特性 与材料有关 意义：应根据实际光源情况选择不同的光敏电阻材料。 3）温度特性 其性能(灵敏度、暗电阻)受温度的影响较大。随着温度的升高，其暗电 阻和灵敏度下降，光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。 20 40 60 80 100 0 1.0 2.0 3.0 4.0 λ/μm I/mA +20 oC -20 oC 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线 CdS（硫化镉gé）光敏电阻 100M? 1K? CdS光敏电阻可单独或与其他各类传感器配套，广泛应用于照相机光圈控制、光电自动控制、光电耦合、自动灯开关及各类可见光波段光电控制测量场合。 二、光敏二极管和光敏晶体管 光敏二极管接线 ? RL 光 P N 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态 P N 光敏二极管符号 － + 1. 结构和原理 光敏二极管在不受光照射时, 处于截止状态, 受光照射时, 处于导通状态。 NPN型光敏晶体管结构简图和基本电路 只有两根引线，基极没有引线 2. 基本特性 光敏二极(晶体)管的光谱特性 硅光敏管的伏安特性 (a) 硅光敏二极管; (b) 硅光敏晶体管 光敏晶体管的温度特性 8.2 光电池 内电场 P （多子为空穴） N （多子为电子） + + + － － － － － － + + + － － － + + + 工作原理：直接将光能转化为电能（光生伏特效应）。 光电池的光谱特性 0 400 600 800 1000 1200 20 40 60 80 100 l / nm S / % 硒 硅 硅光电池的光照特性 0.3 0.2 0.1 0 光生电流 / mA 0.6 0.4 0.2 0 2 000 4 000 短路电流 开路电压 光生电压 / V 照度 / lx 硅光电池的温度特性 20 40 60 80 100 0 100 200 300 400 500 2.2 2.0 1.8 开路电压 短路电流 温度 / ℃ U / mV I / mA 8.3 红外传感器 只有在绝对零度(-273.16℃)时，一切物体的分子才会停止运动。 所以在绝对零度时，没有一种物体会发射红外线。 换言之，在一般的常温下，所有的物体都是红外辐射的发射源。 例如火焰、轴承、汽车、飞机、动植物甚至人体等都是红外辐射源。 物理本质：热辐射