第八章电子技术.ppt

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2017-05-23 发布于湖北
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第八章电子技术

电子技术主讲教师：章艳第8章半导体器件 2.饱和：＋＋－－ UCC UBB RB RC B E C IC → UCE = (UCC－ICRC) 至 IC≈ 时达饱和 UCC RC 条件：发射结正偏，集电结正偏特点： 1. IC 为定值 2. UCE = 0 短路上一页下一页返回下一节上一节 3.截止：＋＋－－ UCC UBB RB RC B E C 条件：发射结反偏，集电结反偏特点： 1. IC = IB ＝0 2. UCE = UCC 开路上一页下一页返回下一节上一节饱和放大区 IC/mA UCE/V O IB = 0μA IB = 30μA IB = 60μA 截止区上一页下一页返回下一节上一节 IB = f(UBE) | UCE=常数 IC = f(UCE) | IB=常数输入特性输出特性 IB UBE 25oC 75oC O 三、特性曲线【例】已知有2个晶体管都工作在放大状态，测得它们的三个极的电位分别为－0.7V，－1V，－6V和2.5V，3.2V，9V，试判别三个极，并说明它们是PNP型还是NPN型，是锗管还是硅管。【答】 (1) 三个极的电位都为负值——PNP管，锗管 ∵发射结应正偏，集电结应反偏 ∴对PNP管：发射极电位基极电位集电极电位基极电位故：发射极 (－ 0.7 V ) ，基极 (－ 1 V ) ，集电极 (－ 6V） (2) 三个极的电位都为正值—— NPN 管，硅管 ∵发射结应正偏，集电结应反偏 ∴对 NPN 管：发射极电位基极电位集电极电位基极电位故：发射极（2.5 V），基极（3.2 V），集电极（9V）。上一页下一页返回下一节上一节 8.5 场效应晶体管上一页下一页返回下一节上一节靠一种载流子（自由电子或空穴）导电 ——单极型晶体管导电途径称为沟道结型场效应管绝缘栅型场效应管 P型硅衬底 N+ N+ N型硅衬底 P+ P+ S D S D G G 金属铝 B B 一、基本结构金属－氧化物－半导体场效晶体管 MOS场效晶体管 SiO2 绝缘层上一页下一页返回下一节上一节 NMOS 管：N型沟道，P衬底 PMOS 管： P型沟道，N衬底按导电沟道的类型分：按导电沟道的形成方式分： E型：增强型 SiO2不带或带少量电荷 D型：耗尽型 SiO2带大量电荷 P型硅衬底 N+ N+ S D G B 上一页下一页返回下一节上一节 * * 下一页一、课程的主要内容电子技术是研究电子器件及其应用的科学。 1、模拟电子技术处理的是模拟信号，即随时间连续变化的信号。 2、数字电子技术处理的是数字信号，即在时间和数值上不连续的信号。绪论电工学电工技术（1~7）电子技术（8~14）电子元件图例上一页下一页电子元件图例上一页下一页电子元件图例上一页下一页电子元件图例上一页下一页二、电子技术的发展历史上一页下一页电子技术是在19世纪末叶无线电发明之后才发展起来的。 1、第一代：电子管如：第一台计算机 2、第二代：晶体管（1948年）体积小、重量轻、功耗小、寿命长里程碑 3、第三代：集成电路（1958年）体积更小、重量更轻、功耗更小、可靠性高 4、第四代：中、大规模集成电路（1966年） 5、第五代：超大规模集成电路（1975年） 10000/片 10000以上/片 100/片集成电路之父 1958年，二人同时发明集成电路。 1969年法庭将集成电路的发明专利授予了基尔比，而将关键的内部连接技术专利授予诺伊斯；前者