光电jkv技术总结.doc

光电子技术回顾 1.光电子技术的概述 光电子技术包括光子技术和电子技术，电子技术是研究电子运动规律的，而光子技术是研究光子与电子相互作用规律的。电子技术与光子技术的联系是电能与光能之间的转换，光源需要驱动和控制电路，在信息领域光电进行信息交换。 2.光电子技术的环节 光电子技术的环节包括系统，设备，模块，器件，材料。 3.光电材料 光电材料的定义：指能产生、转换(例如半导体照明、太阳能电池)、传输（使用光纤）、处理、存储（光盘）光信号的材料 光电材料的地位：在整个光电行业起基础和先导作用 光电材料的主参数：①.晶格常数 ②.禁带宽度 ③.吸收和发射波长 光电材料示例：商用材料主要有GaAs基、InP基、GaN基材料 4.光电器件 光电器件的定义：利用半导体光敏特性、光伏效应工作的光电导器件 光电器件的作用：①.光能与电能的转换 ②.信号传输、处理、存储 光电器件的类型：①.发光器件 ②.受光器件 光电器件示例：商用器件主要由GaAs基、InP基、GaN基等材料组成 量子力学基础 1.量子力学基本原理 ①.能量量子化 ②.波粒二象性 ③.不确定原理 2.电子的模型 ①.自由电子模型：电子的能量为常数，不随位置发生变化 ②.准自由电子：电子势能与晶格具有相同的周期 3.单电子近似 单电子近似：每个电子处于离子心与其他电子的平均势场中运动 4.有效质量 有效质量：将内力对电子的影响归到有效质量 光电材料基础 1.固体分类 固体分为晶体和非晶体，晶体又可分为单晶和多晶，单晶是整个晶体中质点在空间的排列为长程有序整个晶体中质点在空间的排列为长程序按照一定的方向形成作用力形成了特定数目的作用力元素的原子在分子中吸引共用电子的能力光照变化引起半导体材料电导变化的现象半导体在受到光照射时产生电动势的现象①.Si ②.GaAs ③.GaN GaN特点：1、宽带隙 2、高频 3、高温 4、耐腐 5、耐高压 在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构 完全发挥出GaN材料的优越性，最好采用GaN体单晶材料 到目前为止，GaN器件主要是采用蓝宝石衬底（C平面），通过MOCVD制作 GaN主要生长方法：MOCVD（金属有机化学气相沉淀法） 主要生长源：1、有机金属源 2、NH3源 光度学参数 1.光通量：单位时间通过的光能量L 单位：nit=cd/m2 备注：眩光大于1.6*105nt 视觉 不同波长的光刺激在两种亮度范围内作用于视觉器官而产生的视觉现象。=555nm 视场亮度：10cd/m2 暗视觉作用细胞：杆状细胞 视觉灵敏度=507nm 视场亮度：10-6~10-2cd/m2 色度学 亮度：颜色明亮程度 色调：颜色的类别 饱和度：掺入白光程度 色度 = 色调 + 饱和度 色温：光源的辐射在可见区和绝对黑体的辐射完全相同时，此时黑体的温度就称此光源的色温光源对于物体颜色呈现的程度称为显色性。通常叫做显色指数（Ra） 色差越小则表明被测光源颜色的显色性越好Ra值为100的光源表示，事物在其灯光下显示出来的颜色与在标准光源下一致。控制系统在一定（结构，大小）的参数摄动下，维持某些性能的特性3基色LED发光二极管混光蓝光LED发光二极管激发荧光粉产生光， 清洗支架芯片 固晶（芯片黏在支架上） 烘烤固化 打线（焊线） 镀荧光粉 烘烤固化 盖透镜 灌胶透镜（保护、密封作用，可拓展光） 烘烤固化 支架固定 测试、点选 包装 HPLED 定义：拥有大额定工作电流的发光二极管。普通LED功率一般为0.05W、工作电流为20mA，而大功率LED可以达到1W、2W、甚至数十瓦，工作电流可以是几十毫安到几百毫安不等。LED封装的功能主要包括：1.机械保护，以提高可靠性2.加强散热，以降低晶片结温，提高LED性能3.光学控制，提高出光效率，优化光束分布4.供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等光学性能、电性能、热性能、辐射安全和寿命等方面的参数照明用的白光LED相关色温和显色指数测量参数包括正向驱动电流、正向压降、反向漏电流、反向击穿电压LED的PN结温度及壳体太阳光照在半导体pn结上，形成新的空穴电子对，在pn结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区等离子体增强化学气相沉积法太阳入射角是太阳直射光线与壁面法线之间的夹角。通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线共烧工艺一次烧结，形成上下电极的欧姆接触完成的电池片经过测试分档进行归类层压件组件发电的主铝合金保护层压件，起一定的密封、支撑作用接线盒保护整个发电系统，起到电流中转站的作用，如果组件短路接线盒自动断开，防止烧坏整个系统