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1.4 场效应管 FET (Field Effect Transistor) N 沟道增强型 MOS 管结构、符号 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 N沟道增强型MOS管的特性曲线 N沟道耗尽型MOS管结构与符号 例 1.4.1 输出特性曲线 * * IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 穿透电流 集电结反向电流 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 ≈ 最大，独立方向 回顾 NPN 型 PNP 型 e c b e c b 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线 晶体管的电流放大系数随频率增大而降低 输出特性曲线 输入特性曲线 iC几乎仅仅决定于iB；也说电流 iB 控制 iC N沟结型 结构示意图 导电通道 UdS=0，沟道最宽，IDSS IDSS 分类：结型、绝缘栅型 N沟、P沟； 一、分类与符号 栅极g，源极s，漏极d gate source drain 输入电压控制输出电流，为压控器件 仅多子参与导电，温度影响小 输入阻抗很高， 107 ? 1015 ? 特点： 且工艺简单 uGS ? 0，uDS 0 沟道楔型 耗尽层刚相碰时称预夹断 当 uDS ?，预夹断点下移。 加电压 时 结型场效应管 UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 二、N沟结型的工作原理 uDS ＝0，uGD=uGS0，PN结增厚 输入电压控制输出电流，压控器件 夹断后，想改变 ，需靠改变 。 从通 断，为夹断 预夹断uGD = UGS(off) P41 令uGS夹断= UGS(off) UGS(off) --------改变PN结的厚度、形状 输出特性 UGS(off) 当 UGS(off) ? uGS ? 0 时, uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 漏极电流 转移特性 IDSS 饱和漏极电流IDSS 场效应管的输出特性 1）分： 可变电阻区、恒流区、夹断区 2）放大状态在恒流区 3）放大能力：低频跨导 单位：S 西门子 mS 毫西 场效应管的转移特性 代表恒流区的工作状态 漏极电流 结型，N沟， uGS ? 0 P沟， uGS ? 0 P49 代表恒流区的工作状态 场效应管的转移特性 场效应管的输出特性 据输出特性作转移特性的方法 预夹断点 的uDS = uDG + uGS = -uGD + uGS = --UGS(off)+uGS 三、N 沟增强型的工作原理 比较： N 沟结型场效应管的结构和符号 uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响 反型层，使 从断 通，为开启 四、N 沟耗尽型的工作原理 耗尽型 N 沟道 MOSFET S G D B Sio2 绝缘层中掺入正离子在 uGS = 0 时已形成沟道；在 DS 间加正电压时形成 iD， uGS ? UGS(off) 时，全夹断。 耗尽型 N 沟道 MOSFET 输出特性 uGS /V iD /mA 转移特性 IDSS UGS(off) 夹断 电压 饱和漏 极电流 当 uGS ? UGS(off) 时， uDS /V iD /mA uGS = ? 4 V ? 2 V 0 V 2 V O O 五、 场效应管的主要参数 开启电压 UGS(th)(增强型) 夹断电压 UGS(off)(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 UGS(th) UGS(off) 2. 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /V iD /mA O UGS(th) UGS(off) 3. 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间加 反向电压呈现的直流电阻。 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /V iD /mA O 4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q O PDM = uDS iD，受温度限制。 5. 漏源动态电阻 rds 6. 最大漏极功耗 PDM *