1.6《LED 特性与光度测量实验》.pdfVIP

LED 特性及光度测量实验 （2008 新增部分） 中山大学光信息科学与技术实验室 发光二极管特性测量实验 一、 实验目的和内容 1、了解发光二极管的发光机理、光学特性与电学特性，并掌握其测试方法。 2 、设计简单的测试装置，并对发光二极管进行V －I 特性曲线、P －I 特性曲线 的测量。 二、实验基本内容 1、概述 50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极 管产生于1960 年。LED 是英文light emitting diode （发光二极管）的缩写， 它属于固态光源，其基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的 架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED 的抗震 性能好。LED 结构图如下面图1 所示： 发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的芯片。常规的发光 二极管芯片的结构如图二所示，主要分为衬底，外延层（图2中的N型氮化镓， 铝镓铟磷有源区和P型氮化镓），透明接触层，P型与N 型电极、钝化层几部分。 钝化层的作用是保护透明接触层。 N 型 电极 P 型 电极 图2、常规InGaN / 蓝宝石LED芯片剖面图 图3、InGaN LED芯片俯视图 在 p 型半导体和 n 型半 导体之间存在一个过渡层，称为 ＋ － p －n结。跨过此p －n结，电子从 n ＋ － p （a ） n型材料扩散到p 区，而空穴则从 ＋ － p 型材料扩散到 n 区，如右面 的图4 （a ）所示。作为这一相互 电场 扩散的结果，在p －n结处形成了 电 子 － p （b ） e ΔV ○ 的 － 一个高度的e ΔV 的势垒，阻止 ○ 电 － － － ○○ － 电子和空穴的进一步扩散，达到 ○ ○ δ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ 势 ⊕ 能 平衡状态（见图4 （b ））。 n 当外加一足够高的直流电