溅射法制备InSb薄膜工艺探索_In的氧化及热处理保护.pdfVIP

第 8 期 ·工艺与设备 ·　　　 33 溅射法制备 InSb 薄膜工艺探索 ———In 的氧化及热处理保护 孙承松 　魏永广 　关艳霞 　周立军 沈阳工业大学信息学院　沈阳市 　110023 温作晓 东南大学微电子中心 　南京市 　210096 　　【摘要】介绍了用 RF 溅射法制备 InSb 薄膜时 ,如何克服 In 的氧化问题的措施及防止 InSb 薄 膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法 。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析 。结 果表明 ,只要控制好工艺条件 ,可以获得较好的效果 。 关键词 :溅射 InSb 薄膜 　氧化 　保护 中图分类号 : TN304 05 The Technique Probe of InSb Film by RF Sputtering Wen Zuoxiao ,Wei Yonguan , Guan Yanxia , Zhou Lijun Shenyang University of Technology ,Shenyang 110023 Sun Chengsong Southeast University Microelectronics Center ,Nanjin g 210096 　　Abstract :This paper introduces the measures in fabricating InSb film by RF sputtering method how to overcome the In ’s oxidation. It also shows the method preventing the InSb ’s continuous oxidation and evaporation in the heat treat ment process. The experimental results have been taken the electronic scope measurement and Auger electronic spectrum analysis. And the results indicate that we can get better effect if we well control the technique condition. Key Words :RF Sputtering InSb Film ,Oxidation ,Protection 1 　工艺探讨 氩气净化系统如图 1 所示 。 11 　成膜过程中 In 的氧化问题 InSb 中的 In 性质比较活泼 ,加上溅射过程中真空 室中微量的氧处于离化状态 ,所以在成膜过程中 In 极 易被氧化 ,从而使制得的膜失效 。 溅射工艺中 ,真空室中的氧化性气氛有两个来源 : 图 1 　氩气净化系统 一个是真空室中残余的氧 、水汽等 ;另一个是工作气体 海绵钛呈多孔状 ,是较好的吸气剂 。其净化氩气 氩气中所含的微量氧 。实验中 ,预备真空度越高越好 。 的机理是在高温下与氧发生反应 ,从而除去气体中的 预备真空度越高 ,表示真空