关于提高OLED发光效率的方法调研.PDF

关于提高 OLED 发光效率的方法调研 安迪 3130104536 小引 OLED 相比其他同类型器件，有（1 ）功耗低（2 ）响应速度快（3 ）宽视角（4 ）能实现 高分辨率显示（5 ）宽温度特性 等无可比拟的优点。但是 OLED 也还存在着或多或少的问 题，比如制作工艺、封装技术等。 本文主要是针对提高 OLED 的发光效率进行一些的探讨和材料介绍。根据 OLED 发光 的原理和结构特性 ，主要介绍了一些磷光材料 （当发光层采用磷光材料时，因为单线态激子 和三线态激子都对发光产生贡献，磷光 OLED 的内量子效率在理论上可达到 100% ，远远超 过荧光的效率）和一个比较创新的 idea——用双发光层 （D-EML ）提高发光效率 ，另外还 提到 了最近比较火的石墨烯 。在文献 的选择方面，有最近刚发表的比较新的论文 （2015.10.15 ），也有一些国外的比较老但是引用次数比较多的经典论文。 OLED 原理简介： OLED 是有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的 现象。其原理就是用 ITO 透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱 动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和 空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使 发光分子激发，经过辐射发出可见光，辐射光可从 ITO 一侧观察到，金属电极膜同时也 起了发射层的作用 一、石墨烯掺杂 作为电子注入层 在 OLED 中，有机材料的电子迁移率要远小于空穴的迁移率，而且空穴的注入势垒要低 于电子的注入势垒。所以电子的注入难度要远高于空穴注入。因此，平衡电子与空穴的注入 是提高 OLED 效率的关键因素之一。 这里采用石墨烯掺杂 作为电子注入层，实验装置如下图所示 此为器件 B ，还用了标准器件 A 作为对比。 通过测量器件的亮度（L ），电流密度（J ），电压（V ）和他们之间的关系，以及电致发光（EL ） 光谱 ，实验测出来效果如下 ： 由图中结果可知，同一电压下，用石墨烯和 作为电子注入层的器件的电流密度 明显高于标准器件 A 的电流密度。表明器件 B 的载流子传输特性要优于标准器件。 原因：石墨烯是一种二维的半导体材料，化学性质稳定，具有良好的成膜性。而且这个 实验中用到的还是氧化还原石墨烯，其晶格的部分 SP2 轨道在还原过程中被破坏，当其与 2 Cs 金属离子和阴极 Al 电极接触时，残余的 SP 群通过电子在费米能级上的跳跃，很好地完 成了电子注入过程。 由上两幅图可知：器件 B 的启亮电压低于器件 A ，同一电压下器件B 的亮度明显高于 2 标准器件 A。当电压达到 12V 时最大亮度为 7690cd/m ，是同等条件下标准器件A 的 2.07 倍。主要是由于 掺杂的石墨烯作为电子注入层提高了电子注入能力。 而在相同电压下，器件 B 的电流效率明显高于标准器件Ａ，其最大电流效率达到 2.02cd/A ，是标准器件A 的 2.59 倍。这是因为石墨烯有较好的成膜性和稳定性，弥补了单 一 Al 金属薄膜的诸多缺陷和 Cs 金属离子比较活泼的缺点。提高了阴极薄膜的稳定性；而 且石墨烯的带隙较宽，能够阻止空穴从 ITO 扩散到阴极，起到空穴阻挡层的作用，提高了空 穴与电子在发光层的有效复合，提高了整个器件的效率；而且石墨烯有较低的功 函数，与 Cs CO 掺杂混合后，在热蒸镀过程中，分解出的 Cs、O 和 Cs O 也对阴极界面进行了 n- 2 3 2 2 型掺杂，降低了电子注入的势垒，提高了电子注入能力，增加了激子的形成比例，增强了稳 定性，提高了器件效率 二、