2015第10课第七章半导体异质结激光器2.pptVIP

7.5.4 布拉格反射作用 29-pairAlN/GaNDBR 多层介质膜的反射率 有两种介质，如果其折射率分别为n1和n2，并且n1n2，将其交替沉积在折射率为ns的衬底上，每一种介质层的厚度为?/4，即分别为d1=?0/4n1和d2=?0/4n2。如果这两种介质的层总数为偶数2m时，则其垂直方向上的反射率为： 可以看出: n2/n1的比值越大则越有利于获得高的R。同样，介质层数目越多，即2m越大时R也会越大。 注入的载流子进入有源层后，因异质结限制作用，将主要在有源区中，我们引进“名义电流”的概念： J=Jnomd/?i （7.31） ?i为内量子效率。 7.6 增益和电流的关系，量子效率和增益因子 内量子效率 激光器中注入的电子空穴对在体内复合发出的光子数的效率： （7.34） 有源层内，由于有杂质、缺陷、界面态和俄歇复合的存在，都会使部分注入的载流子不能复合产生光，使得?i1。然而?i通常可达70%左右，因而它有效地将注入载流子转换为光子。 外量子效率 它度量激光器真正向体外辐射的效率： （7.35） 微分量子效率 For ηi = 100%, L = 300 μm, R1 = R2 = 32%, and αi = 20cm?1, we have ηd = 66%. (7.37) 提高内量子效率； 尽量减少自由载流子吸收损耗和有源区外的吸收损耗； 增大限制因子； 减少端面的反射率； 减小腔长。 提高外量子效率的途径 AlGaAs AlGaAs GaAs Conduction band quantum well Valence band quantum well 7.7 量子阱激光器 对于量子阱结构，由于阱宽很窄，注入效率大为提高，比双异质结更容易实现粒子数反转。 A quantum well laser is an improved LED. Electrons and holes are kept together inside the semiconductor at the center, which has a smaller gap. That makes it easier for electrons to find holes. It also creates quantized energy levels with a highly-concentrated density of states. 7.7.1量子阱激光器结构 Single quantum well MQW or superlattice Finite potential wells 1量子阱中态密度呈阶梯状分布，导带中第一个电子能级高于原导带底EC,价带中第一个空穴能级低于原价带顶Ev,因此有E1C-E1vEg，光子能量大于材料的禁带宽度。相应地，其发射波长小于所对应的波长，即出现了波长蓝移。由于与量子阱的宽度有关，因此改变量子阱的厚度可以在相当宽的范围内改变激射波长； 7.7.2 量子阱的发射波长调节作用 要降低阈值电流J th ,最关键的是降低J0 ,也就是介质达到“透明”( g =α) 所需的注入电流. 图2 中虚线分别是体材料[ (a) 图]和量子阱[ (b) 图]的态密度,体材料的态密度与E成正比,而量子阱的态密度是常数,呈台阶状. n1 , n2 , n3 是逐渐增加的注入载流子密度. 随着注入密度的增加,介质的增益也逐渐增加,但量子阱由于它的陡直的态密度,增加得比体材料快. 因此较小的注入密度就能达到透明所需的增益gth. 7.7.3 量子阱增益频谱的特点 gmax=ag(N-Nth) (7.38) 微分增益 量子阱激光器的光增益-?red的影响 量子阱激光器的基本特征(1)-发射波长与阱宽 腔长根据阱宽的优化 阱宽 基本特征(2)低阈值 基本特征(3)窄发射光谱 基本特征(4)高特征温度 热效应问题一直是人们关注的焦点问题 。改善半导体激光器温度特性是半导体激光器高温、高功率工作的关键因素之一。 热效应对半导体激光器性能的这种严重影响, 使人们在研究和改进激光器件的过程中特别注 意采取各种办法降低热量的产生或减弱器件对热的敏感性。所以设计一种具有高特征温度的激光器是改善半导体激光器温度特性的重要环节。 基本特征(5)高量子效率 量子阱激光器基本特征(6)-高光增益的偏振方向选择性 TE TM 偏振选择性之来源-导带至不同子帶间跃迁速率不平衡。 Comparison of the downward scattering of electrons,(in energy increments of