半导体物理第5章习题.ppt

第五章 用强光照射n型样品，假定光被均匀吸收，产生过剩载流 子，产生率为 ，空穴的寿命为 。 ⑴写出光照下过剩载流子满足的方程 ⑵求出光照达到稳定状态时过剩载流子浓度 解答： ⑴少子（过剩载流子）满足的运动方程为： 根据题意： ①光被均匀的吸收,故不存在少子浓度梯度，故扩散项为 零。 ②电场为零，不存在漂移因素，则漂移项为零 ∴过剩少子满足 ⑵稳态时， 半导体材料寿命 ，光照时产生非平衡载流子， 试求光照突然停止 后，非子衰减到原来的百分之几？ 解答： t=0时非子浓度为 当 而 时非子衰减为原来的： 画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出 原来的费米能级和光照时的准费米能级。 解答： ，且 ，故 偏离 较小 ， ， 偏离 较大 ， ， ， ， 对Si， ，光照产生 ， 试计算准费米能级位置，并与原来的费米能级作比较。 解答： 2 1 2代入1得： 解出 又 ① 原来的费米能级位置： 由 可得： ② 由 可得： ③ ①+③得 ②-①得 对N型半导体， 偏离 较小，而 偏离 较大 p型Ge，T=300K， ， 解答： ， 求电子的扩散长度。 由爱因斯坦关系： ， 空穴浓度线性分布，在 。计算空穴扩散电流密度。 内浓度变化为 ， 解答：