三极管地识别与检测.docVIP

晶体三极管的识别和检测 晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，它的基本功能是具有电流放大作用。 一、结构???NPN和PNP型两类三极管的结构如图。它有两个PN结（分别称为发射结和集电结），三个区（分别称为发射区、基区和集电区），从三个区域引出三个电极（分别称为发射极e、基极b和集电极c）。发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。 ????为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：????① 使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子；????② 使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子；????③ 使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。 半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。 1、共射电流放大系数β ：β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。 2、反向击穿电压值U(BR)CEO ：指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。 3、最大集电极电流ICM ：指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的IC值）。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏，但管子的性能将变差。 4、最大管耗PCM ：指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的IC与UCE的乘积要小于PCM值，反之则可能烧坏管子。 5、穿透电流ICEO ：指在三极管基极电流IB=0时，流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1mA，锗管的值要比它大1000倍，大功率硅管的ICEO约为mA数量级。 6、特征频率fT ：指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 fT的典型值约在100～1000MHz之间，实际工作频率 。 二、 半导体器件的命名方法 1．中国半导体器件的命名法 根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-15。 ?表2-15? 国产半导体器件的型号命名方法 第一部分 第二部分 第? 三? 部? 分 第四部分 第五部分 用数字表示器 件的电极数目 用汉语拼音字母表示 器件的材料和极性 ? 用汉语拼音字母表示器件的类别 用数字表示 器件序号 用汉语拼音字 母表示规格号 符号 意 义 符号 意? 义 符号 意?? 义 ?4 ?5 2 二极管 A B C D N型锗材料 P型锗材料 N型硅材料 P型硅材料 P V W C Z L S N U K 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 ? ? 3 三极管 A B C D E PNP型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 化合物材料 X G D A U K 低频小功率管（fT＞3MHz,PC＜1W） 高频小功率管（fT≥3MHz,PC＜1W） 低频大功率（fT≤3MHz,PC≥1W） 高频大功率（fT≥3MHz,PC≥1W） 光电器件 开关管 ? ? ? ? ? ? I Y B J 可控整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 ? ? ? ? ? ? CS BT FH PIN JG 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 ? ? ? ? 例如: 3AD50C表示低频大功率PNP型锗管； 3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。 2. 美国半导体器件命名法 根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。 表2-16? 美国半导体器件型号的命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示器件的等级 用数字表示PN结数目 用字母表示材料 用数字表示器件登记序号 用字母表示同一器件的不同档次 符号 意? 义 符号 意??? 义 符号 意?? 义 符号 意? 义 符号 意? 义 ?J 军品 1 二极管 ?N 表示不加热即半导体器件 2～4位 数字 登记顺序号 A、B、 C… 表示器件改进型 无 非军品? 2 三极管 3 四极管 ? 例如: 1N4148表示开关二极管， 2N3464表示高频大功率NPN型硅管。 3．日本半导