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3DD13003SUD硅三重扩散NPN双极型晶体管
硅三重扩散NPN 双极型晶体管 R
3DD13003 SUD
产品概述 产品特点 特征参数
3DD13003 SUD 是硅 ●开关损耗低 符 号 额定值 单 位
NPN 型功率开关晶体管,该 ●反向漏电流小 VCEO 200 V
产品采用平面工艺,分压环 ● 高温特性好 IC 1.5 A
●合适的开关速度
P (T =25℃) 0.5 W
终端结构和少子寿命控制 ●可靠性高 tot a
技术,集成了有源抗饱和网 应用 封装 SOT-89S
络,提高了产品的击穿电 ● 紧凑型电子节能灯
压、开关速度和可靠性。 ● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
存储条件和焊接温度
内部结构图
存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 C
环境温度-10℃~40℃ B
1 年 265℃
相对湿度 <85%
E
极限值 (除非另有规定,T = 25 )
a
参 数 名 称 符 号 额定值 单 位
集电极-基 极电压 VCBO 350 V
集电极-发射极电压 VCEO 200 V
发射极-基 极电压 VEBO 9 V
集电极直流电流 IC 1.5 A
集电极脉冲电流(tp<5ms ) ICM 3 A
基极直流电流 IB 0.75 A
基极脉冲电流(tp <5ms ) IBM 1.5 A
耗散功率 Ptot 0.5 W
结温 T 150
j
贮存温度
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