HK1215使用说明书-深圳市动能世纪科技有限公司.PDF

HK12 15 使用说明书 一． 引脚排列 PIN 排列 PIN 描述 A7 1 24 Vcc A0-A10 Address input A6 2 23 A8 CE Chip Enable （Low Enable） A5 3 22 A9 GND Ground A4 4 21 WE DQ0-DQ7 Data In/Out A3 5 20 OE Vcc Power (+5V) A2 6 19 A10 WE Write Enable （Low Enable） A1 7 18 CE OE Output Enable （Low Enable） A0 8 17 DQ7 DQ0 9 16 DQ6 DQ1 10 15 DQ5 DQ2 11 14 DQ4 GND 12 13 DQ3 二． 读取模式 HK1215 在 WE （写使能）被禁止 （high ）且 CE （片选）被选中 （Low ）并 且 OE （读信号）被使能 （Low ）执行一次读循环。11 个地址输入线 （A -A ） 0 10 指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后 8 位数据输出驱动 器将在 tACC 时序内得到有效数据。 三、写模式 地址输入稳定后，HK12 15 在 WE 和 CE 信号处于激活 （低电平）状态为写 模式。最后出现的 CE 或 WE 下降沿将决定写循环的开始，写循环终止于 CE 或 WE 前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持有效。在下 一个循环能被初始化前，WE 写信号必须将高电平保持最少记录时间（tWR ）。 写循环期间 OE 控制信号应当保持失效 （高电平），避免总线冲突，如果输 出总线已经有效 （CE 和 OE 激活），则写信号可以在 tODW 时序内从下降边 沿开始禁止输出。 四、数据保存模式 HK12 15 为 Vcc 提供全部功能，当 Vcc 大于 4.5 伏或 4.75 伏,写保护为 4.35 伏或 4.75 伏。当 Vcc 掉电时保存数据,没有任何附加支持电路的需要。 HK12 15 通常监视 Vcc 。如果电源电压降低，RAM 自动写保护其本身。所 有对 RAM 的输入变为 “不接收”，所有输出为高电阻。当Vcc 降低到大约 3.0 伏时，电源转换电路将用锂电源向 RAM 供电保存数据。电压升高时， 当Vcc 升高到大约 3.0 伏时，电压转换电路将外部Vcc 与 RAM 连接。正常 RAM 操作在 Vcc 超过 4.5 伏或 4.75 伏后能够重新开始。 五、出厂状态及运输 HK12 15 从宏空半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应 超出 1.5G 否则影响寿命。 六、验收及服务 本产品验收期为 1 个月即自客户得到本产品后对以下各项性能指标进行验 收，如果异议应在 1 个月内提出更换或退货。质量保证期即服务期为一年， 如产品在一年内非使用问题而产生的产品质量问题并且未经使用损坏的经