Ni4H-SiC肖特基势垒二极管的!射线辐照效应-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 = + %$$’ + ， ， ， 4QB 5= (Q 5+ @T7B %$$’ （ ） #$$$-3%’$*%$$’*= $+ *%3-$= @/N@ U,;.[/@ .[([/@ #%$$’ /D)E 5 UDVP 5 .QK 5 !#$%’( 肖特基势垒二极管的 射线辐照效应! ! ! 张 林 张义门 张玉明 韩 超 马永吉 （西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安 #$$#） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ # %$$ ’ # 对制备的 肖特基势垒二极管（ ）进行了 射线辐照试验，并在辐照过程中对器件分别加 和 ()*+,-.)/ .01 ! $ 偏压 经过 （）总剂量的 射线辐照后，不同辐照偏压下的 肖特基接触的势垒高度和理想因 2 3$ 4 5 # 6789 .) ! ()*+,-.)/ 子没有退化， 外延层中的少子寿命也没有退化 辐照后器件的反向电流下降，这是由于器件表面的负界面电荷 .)/ 5 增加引起的5 研究表明，辐照偏压对()*+,-.)/ .01 的辐照退化效应没有明显的影响5 关键词：碳化硅，肖特基，辐照效应，偏压 ： ， ， ， )*(( 3+$. :#$; :#$ =$ 偏置状态下的()* .)/ .01 的 射线辐照效应是否有 ! #L 引 言 区别，目前还未见有文献报道5 本文进行了()*+,-.)/ .01 的 射线辐照实验， ! +,-.)/ 材料具有禁带宽度大、热导率高、击穿 并对辐照退化的机理进行了分析5 在辐照时对器件 电场高和辐射容限高等优良特性，成为制备高温、大 分别加 和 偏压，以研究不同偏置状态对 $ 2 3$ 4 ()* ［］ 功率、抗辐射器件的首选材料# 5+,-.)/ 肖特基势垒 的 射线辐照效应的影响 实验中 射线的