P-N接面二极体P-NJunctionDiode.PDF

認識電子元件系列—接面二極體 P-N 接面二極體接面二極體 接面二極體接面二極體 P-N Junction Diode 將 P 型半導體與 N 型半導體相互結合 ，形成P-N 接面二極體 （P-N Junction diode ）時，P 型材料內的電洞與 N 型材料內的電子會在接合面結合 ， 使得在結合面附近的區域內缺乏載子 ，形成空乏區（Depletion region ）或空間 電荷區 （Spacecharge region ），如下圖所示 不要以為 N 型半導體中的電子會不斷的透過接合面與 P 型半導體的電洞結 合，直到所有的電子與電洞都消失 ；實際的情形卻是，靠近接合面的N 型半導 體失去一些電子 ，變成正離子 ，P 型半導體失去一些電洞變成負離子 ，這些正 負離子會集中在接合面附近 ，阻止電子與電洞的繼續結合（正離子排斥電洞， 負離子排斥電子 ），並達到平衡 ，使得接合面附近只有離子，沒有載子（電子或 電洞 ）。 其中 ，空乏區中的少數載子（P 型為電子 ，N 型為電洞 ）受到接面電場的 吸引 ，通過空乏區，形成少數載子流！ 空乏區內的離子所產生阻止電子與電洞通過接合面的力量，稱為「障壁電 位（ Potential barrier ）」，一般而言 ，Ge 的 P-N 接合面的障壁電位約為 0.2~0.3V ，Si的 P-N 接合面的障壁電位約為0.6~0.7V ！ 1 認識電子元件系列—接面二極體 PART 1 一、P-N 接面施加順向偏壓 當半導體二極體的 P 端施加正電壓 ，N 端施加負電壓時 ，此種電壓狀態稱 為順向偏壓 （Forward bias ），如下圖所示 在順向電壓下 ，電池的正端吸引電子，排斥電洞，電池的負端吸引電洞， 排斥電子 ，使得N 型半導體中的電子 ，不斷越過P-N 接合面到P 型半導體中 ， 與電洞結合 ；同樣的，P 型半導體中的電洞 ，也不斷越過P-N 接合面到N 型半 導體中 ，與電子結合，產生源源不斷的電流，如此一來，電子與電洞在接合面 上所遭受到的能量障壁越來越低 ；此一趨勢，隨著偏壓的增強，空乏區的寬度 越來越小 ，最後，大量的電子終於湧過，並以如下圖所示的指數型態增加 I I=(e kVD / TK −1) D s 其中 ，Is 為反向飽和電流 k=11,600／η η=1 （for Ge或電流大 ）、η=2 （for Si ，電流小） 2 認識電子元件系列—接面二極體 NOTE ：上圖中曲線開始上升的電位稱為障壁電位、起始電位、臨界電位或激 發電位 ，以VT 表示，VT=0.7V （Si ）、VT=0.3V （Ge ）。 二、P-N 接面施加反向偏壓 當半導體二極體的 P 端施加負電壓 ，N