AET_01_半导体器件.ppt

UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS 1-* P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 1-* P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 1-* 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT 1-* 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 1-* 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 1-* 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 1-* 1.4.3 场效应管类型与特征 列表对比见教材P49。 1-* 例1： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k?， 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 1-* 解：由于 ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? （1）当USB =-2V时： IC UCE