P型半导体-青岛理工大学.ppt

PN结的形成过程 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结 (0.5μm~0.75mm) , 也称耗尽层,阻挡层,势垒区,内电场区,离子区。 因浓度差? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。平衡 PN 结中扩散电流和漂移电流大小相等而方向相反，所以无外加电场或其他激发因素时， PN 结中没有电流。 多子的扩散运动 ? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 小 结 考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况 PN结加正向偏置电压（正偏）： PN结加正向电压时的导电情况 2 PN结的特点 外加电压使内电场减小以致 阻挡层变窄 多子形成的扩散电流增加 漂移电流减小 从电源正极有流入P 区的正向电流 P 区接电源正极 PN结加反向电压时的导电情况 由于在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 N 区接电源正极 外加电压使内电场增加以致 阻挡层加宽 扩散电流进一步减小趋于零 少子形成的漂移电流居支配地位 从电源正极有流入N 区的很小的反向电流 2 PN结加反向偏置电压（反偏）： PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通 PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 ∴ PN结具有单向导电性。 结论 3 PN结V- I 特性（伏安特性）表达式 习惯: P(+),N(-)为参考方向 PN结的伏安特性 门坎电压(死区电压Vth)：导通、未导通的分界； 导通条件：V＞ Vth；(与材料有关,Si :0.5V,Ge:0.1V) 导通后特征(Si)：0.6~0.8V,约0.7V左右(具体由实测或计算机仿真); 截止条件: V Vth; (对内电场克服不够) 截止后特征:电流几乎为0。 其中: PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流。反向截止的少子电流，越小越好，与温度变化有关 VT ——温度的电压当量 常温下（T=300K）： vD——PN结外加电压 可推知：PN结加正压，VD≈0.7V， PN结加反压，VD为负值，若 比 大几倍时, 。可见,反向电流是个常数 ，不随外加反向电压的大小而变动。 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 4 PN结的反向击穿 1).PN结的反向击穿现象 强电场将阻挡层内中性原子的价电子直接变为自由电子 功率损耗? PN结温升高?本征激发加剧?反向电流更大?连锁反应 反向电压增加 ?少子漂移加快 ?动能增加 ?碰撞电离?连锁反应 2) . 击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热 电击穿 齐纳击穿： 雪崩击穿： 热击穿 具有可逆性 具有破坏性 图1.1.10 PN结的伏安特性 正向特性： 反向特性： u＜0时，i ≈-Is 击穿特性： ＞ U(BR)时，i↑ 小结: 5. PN结的电容效应 （1）势垒电容 （图1.1.11 PN结的势垒电容） 势垒电容（Cb）： PN结外加电压变化时，引起耗尽层宽窄变化 （空间电荷区电荷量的变化）所等效的电容。 扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容(Cd)。 结电容 Cj= Cd+Cb 一般在1PF左右 6. PN结等效电路 rd Cj (2)扩散电容 1.3 1.6 1.10 1.11 1.15 作 业 * * * * * * * * * * * * * * * 模拟电子技术基础 邢丽娟 青岛理工大学自动化工程学院 1. 本课程的性质和任务 介绍电子器件、电子电路和电子技术应用的一门技术基础课 2. 研究内容 ?电子元器件的工作原理（二极管、三极管和集成运放） ?基本单元电路－放大器的构成原理及互联 ?电子电路的分析方法 以器件为基础、以“放大”为主线，以传递“模拟信号”为