光电检测技术第四章.ppt

光电变换部分可以采用光电发射和光电导体 对于光电导式摄像馆，它的光敏面和靶面合二为一 对于光电发射式摄像馆，它的光敏面与靶面之间存在移像区 二者的信号读取部分基本一致，都是电子枪 电荷积累元件需要有足够的绝缘性 * P型岛 硅靶也叫硅二极管阵列光电导靶，是结型光电导靶 * 将过程讲清楚 * * 硅光摄像管的惰性约为4% 碲化锌镉的惰性约为8% 惰性复习光电导期间是非平衡载流子事件，驰豫过程 * 曲线1、2分别表示两种型号CdS光敏电阻的稳定性。初制成的光敏电阻，由于体内机构工作不稳定，以及电阻体与其介质的作用还没有达到平衡，所以性能是不够稳定的。 光敏电阻在开始一段时间的老化过程中，有些样品阻值上升，有些样品阻值下降，但最后达到一个稳定值后就不再变了。这就是光敏电阻的主要优点。 * 选择中频波段，需要注意背景光的抑制 * 用GaAs作衬底的光电池效率高 达29.5%（一般在19.5%左右），产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。 InP（磷化铟）光电池的抗辐射性能特别好，效率达17%到19%，多用于空间方面。 CdTe（碲化镉）也很适合制作薄膜光电池，其理论转换效率达30%，是非常理想的光伏材料。可采用升华法、电沉积、喷涂、丝网印刷等10种较简便的加工技术，在低衬底温度下制造出效率12%以上的CdTe光电池，小面积CdTe光电池的国际先进水平光电转换率为1