V-不再因为别人过得好而焦虑.PDF

第五章 场效应管放大 电路 2010年4月23日 1 场效应管 v 场效应管是一种利用电场效应来控制其 电流大小的半导体器件 。 v 特点是耗 电省、寿命长 ，输入阻抗高、噪声低 、热稳定性好 、 抗辐射能力强、制造工艺简单 。它的应用范 围广 ，特别是在大 规模和超大规模集成 电路 中得到 了广泛的应用。 v 根据结构的不 同 ，场效应管可分为三大类 ：  1. 结型场效应管(JFET)  2. 金属­氧化物­半导体场效应管(MOSFET)  3. 砷化镓金属­半导体场效应管 2 §5-1 结型场效应管J FET v  JFET利用半导体 内的电场效 应进行工作 ，称 为体 内场效 应器件 。 v 在一块N型半导体材料两边扩 散高浓度的P型区，形成两个  PN结。两边P型区引出两个欧 姆接触 电极连在一起称 为栅 极g，在N型本体材料的两端 各引出一个 电极 ，分别称为 源极s和漏极d。 v 两个PN结 中间的N型区域称 为导 电沟道 。 3 N型沟道JFET 工作原理 v 代表符号如右 图 ，箭头的方向表示栅结正向 偏置时 ，栅极 电流的方向是 由P指 向N，故从 符号上就可识别d、s之间是N沟道 。 v N沟道JFET工作时 ，在栅极与源极 间需加负 电压(v  ＜0)，使栅极 、沟道间的PN结反 GS 7 偏 ，栅极 电流i ª0，场效应管呈现高达10 W G 以上的输入电阻。 v 在漏极与源极 间加正 电压(v  ＞0)，使N沟道 DS 中的多数载流子(电子)在 电场作用下由源极 向漏极运动 ，形成 电流i  。i  的大小受v  控 D D GS 制 。 4 v 对i 的控制作用 GS D v 当v  由零 向负值增大时 ，在反偏 电压v  作用下 ，两个PN结的耗 GS GS 尽层将加宽 ，使导 电沟道变窄 ，沟道 电阻增大 。当v  增大到某 GS 一定值 |V  |，两侧耗尽层将在 中间合拢 ，沟道全部被夹断 ，此时 F  漏源极 间的电阻将趋于无穷大 ，相应的栅源 电压称 为夹断电压  V 。 P v 改变v  的大小 ，可以有效地控 GS 制沟道 电阻的大小 。若在漏源 极 间加上固定的正向电压v  ， DS 则 由漏极流向源极的电流i 将 D